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资料编号:317831
 
资料名称:IRF7901D1
 
文件大小: 256.49K
   
说明
 
介绍:
Dual FETKY⑩ Co-Packaged Dual MOSFET Plus Schottky Diode
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
一氧化碳-空调组件 双 n通道 hexfet
电源 场效应晶体管
和 肖特基 二极管
理想 用于 同步 降压 直流-直流
转换器 向上 至 5a 峰值 输出
低 传导 损失
低 开关 损失
低 vf 肖特基 整流器
双 fetky
一氧化碳-已打包 双 场效应晶体管 加号 肖特基 二极管
描述
这 fetky
mosfets 和 肖特基 二极管 优惠 这 设计师 一个 创新,
板 空间 正在保存 解决方案 用于 开关 调节器 和 电源 管理 应用程序. 高级
HEXFET
mosfets 合并 与 低 前进 掉落 肖特基 结果 入点 一个 极其 高效 设备 适合
用于 一个 宽 品种 的 便携式 电子产品 应用程序.
这 所以-8 有 被 已修改 通过 一个 定制 引线框架 用于 增强型 热 特性 和 多个
模具 能力 制作 它 理想 入点 一个v一个iety 的 power 应用程序s.与 这些 improv水泥
,
multiple de?恶习 可以
是 已使用 入点 一个 应用程序 与 戏剧性地 减少 板 空间. 内部 连接 启用 更容易 板
布局 设计 与 减少 杂散 电感.
IRF7901D1
pd- 93844b
www.irf.com 1
9/19/01
所以-8
设备 额定值 (最大值.数值)
Q1
Q2
和 肖特基
v
ds
30V 30V
ds
(开启)
38 m
32 m
q
g
10.5 nc 18.3 nc
q
软件
3.8 nc 9.0 nc
v
sd
1.0v 0.52v
参数 最大值 单位
最大值 交叉点到环境
θ
ja
62.5 °c/w
最大值 接合点-至-铅
θ
JL
25 °c/w
热 电阻
绝对 最大值 额定值
参数 符号 irf7901d1 单位
漏源 电压 v
ds
30 v
栅极-源极 电压 v
gs
±20
连续 输出 t
l
= 100°c
d
6.2 一个
电流 (v
gs
4.5v)
脉冲 排水管 电流
dm
24
电源 耗散
t
l
= 100°c p
d
2.0 w
接合点 &放大器; 存储 温度 范围 t
j
,
t
stg
–55 至 150 °C
脉冲 来源 电流
sm
12 一个
27
18
3
4
6
5
来源
Pwr
n
Pwr
n
Pwr
Vout
Pwr
Vout
Q1
闸门
Q1
PGND
闸门
Q2
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