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资料编号:318186
 
资料名称:IRF830
 
文件大小: 92.72K
   
说明
 
介绍:
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
 
 


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1
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2
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bay 直线的, inc
2478 armstrong 街道, livermore, ca 94550 电话: (925) 989-7144, fax: (925) 940-9556 www.baylinear.com
电源 场效应晶体管
IRF830
进步 信息
订货 信息
设备 包装温度
irl830t 至-220
0 至 150
°
C
2
)
0 至 150
°
C
绝对 最大 比率
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
=25
°
°°
°
C
持续的 流 电流, v
GS
@10v 4.5
I
D
@ t
C
=100
°
°°
°
C
持续的 流 电流, v
GS
@10v 2.9
I
DM
搏动 流 电流 (1) 18
一个
P
D
@ t
C
=25
°
°°
°
C
电源 消耗 74
W
直线的 减额 因素 0.59
直线的 减额 因素 ( pcb 挂载, d
2
) (1) 0.025
w/
°
°°
°
C
V
GS
门-至- 源 电压
±
20
V
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力 (2) 280
mJ
I
AR
avalanche 电流 (1) 4.5
一个
E
AR
repetitive avalanche 活力 (1) 7.4
mJ
dv/dt
顶峰 二极管 恢复 dv/dt (3) 3.5
v/ns
T
J
, t
STG
接合面 &放大; 存储 温度 范围
55 至 +150
焊接 温度, 为 10 秒 300 (1.6mm 从 情况)
°
°°
°
C
热的 阻抗
参数
最小值 典型值 最大值 单位
R
θ
θθ
θ
JC
接合面-至 情况 - - 1.7
R
θ
θθ
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 ( 至-220)
- 0.50
R
θ
θθ
θ
JA
接合面-至 包围的 ( pcb 挂载, d
2
)
40
R
θ
θθ
θ
JA
接合面-至 包围的 - - 62
°
°°
°
c/w
描述
这 bay 直线的 场效应晶体管’s 提供 这 designers 和 这 最好的
结合体 的 快 切换, 加固 设备 设计, 低
0n-阻抗 和 低 费用-成效.
这 至-220 是 offered 在 一个 3-管脚 是 universally preferred 为 所有
商业的-工业的 产品 在 电源 消耗 水平的
至 大概 至 50 watts. 也, 有 在 一个 d
2
表面
挂载 电源 包装 和 一个 电源 消耗 向上 至 2 watts
特性
动态 dv/dt 比率
repetitive avalanche 评估
快 切换
使容易 的 paralleling
简单的 驱动 (所需的)东西
V
DSS
= 500v
R
ds (在)
= 1.5
I
D
= 4.5a
bay 直线的
bay linearbay 直线的
bay 直线的
直线的 excellence
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