HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd- 93766
这个 新建 系列 的 低 费用 hexfet
®
电源 mosfets
实现 重大 下部 闸门 费用 结束 常规
mosfets. 利用 这 新建 lcdmos (低 费用
设备 mosfets) 技术, 这 设备 改进
是 已实现 无 已添加 产品 成本, 允许 用于
减少 闸门 驱动器 要求 和 合计 系统 储蓄.
入点 加法, 减少 开关 损失 和 改进
效率 和 可实现的 入点 一个 品种 的 高 频率
应用程序. 频率 的 一个 很少 mhz 在 高 电流
是 可能 使用 这 新建 低 费用 mosfets.
这些 设备 改进 合并 与 这 经过验证
坚固耐用 和 可靠性 那 表征 的 hexfet
电源 mosfets 报价 这 设计师 一个 新建 电源
晶体管 标准 用于 开关 应用程序.
s
d
g
v
DSS
= 500v
右
ds(开启)
= 0.85
Ω
我
d
= 8.0a
超 低 闸门 费用
减少 闸门 驱动器 要求
增强型 30v v
gs
评级
减少 c
国际空间站
, c
开放源码软件
, c
rss
极其 高 频率 操作
重复性 雪崩 额定
描述
1/3/2000
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.0
右
θ
ja
交叉点到环境 (pcb 已安装,稳定-州)** ––– 40
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
8.0
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
5.1 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
28
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 3.1 w
p
d
@T
c
= 25°c 电源耗散 125 w
线性 降额 因素 1.0 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 energy‚
510 mj
我
ar
雪崩 电流
8.0 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
13 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
3.5 v/ns
t
j
操作接合点和 -55 至 + 150
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例)
°C
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
IRF840LCS
IRF840LCL
d
2
Pak
IRF840LCS
至-262
IRF840LCL
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