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资料编号:319038
 
资料名称:MRF898
 
文件大小: 106.14K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
39
MRF898
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn
RF 电源 晶体管
. . . 设计用于 24 volt uhf large–signal, 普通 底座 放大器 应用程序
nndust一个l 一个nd comme?c一个lfm e?qupme?nt ope?一个tng 我n the? 右一个ngf
850960 mhz.
摩托罗拉 高级 放大器 概念 包装
指定 24 电压, 900 mhz 特性
输出 电源 = 60 瓦特
电源 增益 = 7.0 db 最小
效率 = 60% 最小
双 输入/输出 匹配 用于 宽带 业绩 和 简化
外部 匹配
系列 等效 large–signal 表征
黄金 金属化, 发射器 ballasted 用于 长 生活 和 电阻 至 金属
迁移
硅 渗氮 钝化
电路 板 photomaster 可用 在 请求 由 联系
rf tactical 市场营销 入点 phoenix, az.
最大值 额定值
评级 符号 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
30 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
55 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
4.0 Vdc
收集器 电流 — 连续
c
10 adc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c
降额 以上 25
°
c
p
d
175
1.0
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
65 至 +150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例
θ
jc
1.0
°
c/w
电气 特性
(t
c
= 25
°
c 除非 否则 已注明.)
特性
符号 最小 典型值 最大值 单位
关 特性
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 50 madc, 我
B
= 0)
v
(br)ceo
30 Vdc
collector–emitter 击穿 电压
(我
c
= 50 madc, v
= 0)
v
(br)消费电子展
55 Vdc
emitter–base 击穿 电压
(我
e?
= 5.0 madc, 我
c
= 0)
v
(br)ebo
4.0 Vdc
收集器 截止 电流
(v
ce
= 30 vdc, v
= 0, t
c
= 25
°
c)
消费电子展
10 mAdc
(续)
订单 这个 文件
由 mrf898/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
MRF898
60 w, 850960 mhz
rf 电源
晶体管
npn 硅
案例 333a–02, 风格 1
摩托罗拉, 公司 1994
rev 6
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