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mmbr901lt1, t3 mrf9011lt1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf 线
npn 硅
高频 晶体管
设计 主要 用于 使用 入点 high–gain, low–noise small–signal 放大器 用于
操作 向上 至 2.5 ghz. 也 可用 入点 应用程序 要求 快 开关
次.
•
高 current–gain — 带宽 产品
•
低 噪声 图 @ f = 1.0 ghz —
nf
(匹配)
= 1.8 db (典型值) (mrf9011lt1)
nf
(匹配)
= 1.9 db (典型值) (mmbr901lt1, t3)
•
高 电源 增益 —
g
pe(匹配)
= 13.5 db (典型值) @ f = 1.0 ghz (mrf9011lt1)
g
pe(匹配)
= 12.0 db (典型值) @ f = 1.0 ghz (mmbr901lt1, t3)
•
保证 rf 参数 (mrf9011lt1)
•
表面 已安装 sot–23 &放大器; sot–143 报价 改进 rf 业绩
下部 包装 寄生
高 增益
•
可用 入点 胶带 和 卷轴 包装 选项:
t1 后缀 = 3,000 单位 按 卷轴
t3 后缀 = 10,000 单位 按 卷轴
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
collector–emitter 电压 v
CEO
15 Vdc
collector–base 电压 v
CBO
25 Vdc
emitter–base 电压 v
EBO
2.0 Vdc
收集器 电流 — 连续 我
c
30 mAdc
电源 耗散 @ t
c
= 75
°
c (1)
mmbr901lt1, t3;
MRF9011LT1
降额 以上 25
°
c
p
d(最大值)
0.300
4.00
瓦特
mw/
°
c
存储 温度 范围 全部 t
stg
–55 至 +150
°
c
最大值 接合点 温度 t
j(最大值)
150
°
c
热 特性
特性 符号 最大值 单位
存储 温度 t
stg
150
°
c
热 电阻, 接合点 至 案例
mrf9011lt1, mmbr901lt1, t3
右
θ
jc
200
°
c/w
设备 标记
mrf9011lt1 = 01 mmbr901lt1, t3 = 7a
备注:
1. 案例 温度 已测量 开启 收集器 铅 立即 相邻 至 车身 的 包装.
订单 这个 文件
由 mmbr901lt1/d
摩托罗拉
半导体 技术类 数据
mmbr901lt1, T3
MRF9011LT1
我
c
= 30 ma
表面 已安装
高频
晶体管
npn 硅
案例 318a–05, 风格 1
SOT–143
低 配置文件, mrf9011lt1
案例 318–08, 风格 6
SOT–23
低 配置文件, mmbr901lt1, t3
摩托罗拉, 公司 1997
rev 8
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