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mrf9030r1 mrf9030sr1
摩托罗拉 rf 设备 数据
这 rf sub–micron 场效应晶体管 线
n–channel enhancement–mode 横向 mosfets
设计 f或 宽带 商业 和 工业 应用程序 与 频率-
cies 向上至 1.0 ghz. 这 高 增益 和 宽带 业绩 的 这些 设备
制造 他们 理想 用于 large–signal, common–source 放大器 应用程序 入点
26 电压 底座 车站 设备.
•
典型 two–tone 业绩 在 945 mhz, 26 伏特
输出 电源 — 30 瓦特 pep
电源 增益 — 19 db
效率 — 41.5%
imd — –32.5 dbc
•
综合 esd 保护
•
设计 用于 最大值 增益 和 插入 相位 平整度
•
有能力 的 搬运 10:1 vswr, @ 26 vdc, 945 mhz, 30 瓦特 cw
输出 电源
•
优秀 热 稳定性
•
表征 与 系列 等效 large–signal 阻抗 参数
•
入点 胶带 和 卷轴. r1 后缀 = 500 单位 按 32 mm, 13 英寸 卷轴.
最大值 额定值
评级 符号 值 单位
drain–source 电压 v
DSS
68 Vdc
gate–source 电压 v
gs
–0.5, +15 Vdc
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c MRF9030R1
降额 以上 25
°
c
p
d
92
0.53
瓦特
w/
°
c
合计 设备 耗散 @ t
c
= 25
°
c MRF9030SR1
降额 以上 25
°
c
p
d
117
0.67
瓦特
w/
°
c
存储 温度 范围 t
stg
–65 至 +200
°
c
操作 接合点 温度 t
j
200
°
c
esd 保护 特性
测试一下 条件 类
人类 车身 型号 1 (最小值)
机器 型号 m1 (最小值)
热 特性
特性 符号 最大值 单位
热 电阻, 接合点 至 案例 MRF9030R1
MRF9030SR1
右
θ
jc
1.9
1.5
°
c/w
备注 –
注意事项
– mos 设备 是 易感 至 损伤 从 静电 费用. 合理 注意事项 入点 搬运 和
包装 mos 设备 应该 是 观察到的.
订单 这个 文件
由 mrf9030/d
半导体 技术类 数据
945 mhz, 30 w, 26 v
横向 n–channel
宽带
rf 电源 mosfets
案例 360b–05, 风格 1
NI–360
MRF9030R1
案例 360c–05, 风格 1
NI–360S
MRF9030SR1
摩托罗拉, 公司 2002
rev 2
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