IRF9520N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 91521a
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 至-220 包装 是 universally 首选 用于 全部
商业-工业 应用程序 在 电源 耗散
级别 至 大约 50 瓦特. 这 低 热 电阻
和 低 包装 成本 的 这 至-220 贡献 至 其 宽
验收 贯穿始终 这 行业.
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -6.8
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v -4.8 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-27
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 48 w
线性 降额 因素 0.32 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
140 mJ
我
ar
雪崩 电流
-4.0 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.8 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
-5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 3.1
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 62
热 电阻
v
DSS
= -100v
右
ds(开启)
= 0.48
Ω
我
d
= -6.8a
至-220AB
描述
5/13/98
高级 流程 技术
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
p沟道
完全 雪崩 额定
s
d
g
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