irf9z34ns/l
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1525
高级 流程 技术
表面 安装 (irf9z34ns)
低调 通孔 (irf9z34nl)
175°c 操作 温度
快 开关
p沟道
完全 雪崩 额定
8/25/97
s
d
g
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 2.2
右
θ
ja
交叉点到环境 ( pcb 已安装,稳定-州)** ––– 40
热 电阻
°c/w
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v
-19
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ -10v
-14 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
-68
p
d
@T
一个
= 25°c 电源 耗散 3.8 w
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 68 w
线性 降额 因素 0.45 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
180 mJ
我
ar
雪崩 电流
-10 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
6.8 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
-5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
绝对 最大值 额定值
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets
是 井 已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其
高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的
应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高 电源 能力 和 这 最低 可能 开启-
电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这
d
2
pak 是 适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的
其 低 内部 连接 电阻 和 可以 消散
向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irf9z34nl) 是 可用 用于 低-
配置文件 应用程序.
描述
v
DSS
= -55v
右
ds(开启)
= 0.10
Ω
我
d
= -19a
2
dpak
至-262
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