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mos 综合 电路
µ
pd4482162, 4482182, 4482322, 4482362
8m-有点 cmos 同步 快 sram
流水线 操作
单独 循环 取消选择
文件 否. m14522ej3v0ds00 (3rd 版本)
日期 已发布 12月 2002 ns cp(k)
已打印 入点 日本
数据s薄页
这 标记
显示 专业 修订 点数.
2000
描述
这
µ
pd4482162 是 一个 524,288-字 由 16-有点, 这
µ
pd4482182 是 一个 524,288-字 由 18-有点,
µ
pd4482322 是 一个 262,144-
字 由 32-有点 和 这
µ
pd4482362 是 一个 262,144-字 由 36-有点 同步 静态 ram 预制 与 高级 cmos
技术 使用 已满-cmos 六个-晶体管 记忆 细胞.
这
µ
pd4482162,
µ
pd4482182,
µ
pd4482322 和
µ
pd4482362 集成 独一无二 同步 外围设备 电路, 2-
有点 突发 计数器 和 输出 缓冲区 作为 井 作为 sram 核心. 全部 输入 寄存器 是 受控 由 一个 正 边缘 的 这 单独
时钟 输入 (clk).
这
µ
pd4482162,
µ
pd4482182,
µ
pd4482322 和
µ
pd4482362 是 适合 用于 应用程序 哪个 需要 同步
操作, 高 速度, 低 电压, 高 密度 和 宽 有点 配置, 这样的 作为 高速缓存 和 缓冲区 memory.
zz 有 至 是 设置 低 在 这 正常 操作. 当 zz 是 设置 高, 这 sram 进入 电源 向下 州 (“sleep”). 入点
这 “sleep” 州, 这 sram 内部 州 是 保存. 当 zz 是 设置 低 再次, 这 sram 简历 正常 操作.
这
µ
pd4482162,
µ
pd4482182,
µ
pd4482322 和
µ
pd4482362 是 已打包 入点 100-管脚 塑料 lqfp 与 一个 1.4
mm 包装 厚度 用于 高 密度 和 低 电容式 正在加载.
特点
•
3.3 v 或 2.5 v 核心 供应
•
同步 操作
•
操作 温度 : t
一个
= 0 至 70
°
c (-a44, -a50, -a60, -c60)
t
一个
=
−
40 至
+
85
°
c (-a44y, -a50y, -a60y, -c60y)
•
内部 自定时 写 控制
•
突发 阅读 / 写 : 交错 突发 和 线性 突发 顺序
•
完全 已注册 输入 和 产出 用于 流水线 操作
•
单循环 取消选择 计时
•
全部 寄存器 已触发 关 正 时钟 边缘
•
3.3 v 或 2.5 v lvttl 兼容 : 全部 输入 和 产出
•
快 时钟 访问权限 时间 : 2.8 ns (225 mhz), 3.1 ns (200 mhz), 3.5 ns (167 mhz)
•
异步 输出 启用 : /g
•
突发 顺序 可选择 : 模式
•
睡眠 模式 : zz (zz = 打开 或 低 : 正常 操作)
•
分开 字节 写 启用 : /bw1 至 /bw4, /bwe (
µ
pd4482322,
µ
pd4482362)
/bw1, /bw2, /bwe (
µ
pd4482162,
µ
pd4482182)
全球 写 启用 : /gw
•
三个 芯片 启用 用于 容易 深度 扩展
•
普通 我/o 使用 三个 州 产出
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