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fch20n60 / fca20n60 rev. 一个
fch20n60 / fca20n60 600v n通道 场效应晶体管
SuperFET
tm
fch20n60 / fca20n60
600v n通道 场效应晶体管
特点
• 650v @t
j
= 150°c
•typ. 右
ds(开启)
= 0.15
Ω
• 超 低 闸门 费用 (典型值. q
g
= 75nc)
• 低 有效 输出 电容 (典型值. c
开放源码软件
.eff = 165pf)
• 100% 雪崩 已测试
描述
SuperFET
tm
是, farichild’s 专有, 新建 世代 的 高
电压 场效应晶体管 家庭 那 是 利用 一个 高级 费用
余额 机制 用于 未结清 低 导通电阻 和
下部 闸门 费用 业绩.
这个 高级 技术 有 被 量身定制 至 最小化 con-
诱导 损失, 提供 上级 开关 业绩, 和 与-
站台 极端 设计验证/dt 费率 和 较高 雪崩 能源.
因此, superfet 是 很 适合 用于 各种 交流电/直流
电源 换算 入点 开关 模式 操作 用于 系统 最小-
iaturization 和 较高 效率.
绝对 最大值 额定值
热 特性
!
"
!
!
!
"
"
"
!
"
!
!
!
"
"
"
s
d
g
g
s
d
至-247
gsd
至-3p
符号 参数 FCH20N60 FCA20N60 单位
v
DSS
漏源 电压 600 v
我
d
排水管 电流 - 连续 (t
c
= 25
°
c)
- 连续 (t
c
= 100
°
c)
20
12.5
一个
一个
我
dm
排水管 电流 - 脉冲
(备注 1)
60
一个
v
GSS
栅极-源极 电压
±
30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 2)
690 mJ
我
ar
雪崩 电流
(备注 1)
20 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
(备注 1)
20.8 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(备注 3)
4.5 v/ns
p
d
电源 耗散 (t
c
= 25
°
c)
- 降额 以上 25
°
c
208
1.67
w
w/
°
c
t
j,
t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 +150
°
c
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的,
1/8” 从 案例 用于 5 秒
300
°
c
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 -- 0.6
°
c/w
右
θ
cs
热 电阻, 案例-至-水槽 0.24 --
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 -- 41.7
°
c/w
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