April1999
fDC6321C
双 n &放大器; p channel,数字 场效应晶体管
概述 描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 其他 智者 已注明
符号 参数 n通道 p沟道 单位
v
DSS
, v
抄送
漏源 电压, 电源 供应 电压 25 -25 v
v
GSS
, v
入点
栅极-源极 电压, 8 -8 v
我
d
, 我
o
排水管/输出 电流 - 连续 0.68 -0.46 一个
- 脉冲 2 -1.5
p
d
最大值电源 耗散(备注 1a)
(备注 1b)
0.9 w
0.7
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度ature 范围右 -55 至 150 °C
esd 静电 放电 评级 密耳-标准-883d
人类 车身 型号 (100pf / 1500 欧姆)
6 kV
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 140 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 60 °c/w
FDC6321C.revb
n-ch 25v, 0.68一个,右
ds(开启)
= 0.45
Ω
@ v
gs
=4.5v
p-ch -25v, -0.46一个,右
ds(开启)
= 1.1
Ω
@ v
gs
=-4.5v.
很 低 水平 闸门 驱动器 要求 允许直接
操作 入点 3 v 电路. v
gs(th)
&指示灯; 1.0v.
栅极-源极 齐纳 用于esd 坚固耐用.
>6kv 人类 车身 型号
更换 多个 双 npn &放大器; pnp数字 晶体管.
这些 双 n&放大器; p channel 逻辑 水平 增强功能 模式
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很
高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化
开启状态 电阻.这个设备 有 被 设计
尤其是 用于 低 电压 应用程序 作为 一个 更换 用于
数字 晶体管 入点 荷载 开关应用程序. 自 偏差
电阻 是 不 必填项 这个 双数字场效应晶体管 可以 更换
几个 数字 晶体管 与 不同的 偏差 电阻.
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
tm
-6
标记:.321
1
5
3
2
6
4
D1
S2
G1
D2
S1
G2
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