十一月1997
fDC6322C
双 n &放大器; p channel,数字 场效应晶体管
概述 描述 特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 其他 智者 已注明
符号 参数 n通道 p沟道 单位
v
DSS
, v
抄送
漏源 电压, 电源 供应 电压 25 -25 v
v
GSS
, v
入点
栅极-源极 电压, 8 -8 v
我
d
, 我
o
排水管/输出 电流 - 连续 0.22 -0.46 一个
- 脉冲 0.5 -1
p
d
最大值电源 耗散(备注 1a) 0.9 w
(备注 1b) 0.7
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度ature 范围右 -55 至 150 °C
esd 静电 放电 评级 密耳-标准-883d
人类 车身 型号 (100pf / 1500 欧姆)
6 kV
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境(备注 1a) 140 °c/w
右
θ
j
c
热 电阻, 连接至壳体(备注 1) 60 °c/w
FDC6322C.rev b1
n-ch 25v, 0.22一个,右
ds(开启)
= 5
Ω
@ v
gs
=2.7v.
p-ch 25v, -0.46一个,右
ds(开启)
= 1.5
Ω
@ v
gs
=-2.7v.
很 低 水平 闸门 驱动器 要求 允许直接
操作 入点 3 v 电路. v
gs(th)
&指示灯; 1.5 v.
栅极-源极 齐纳 用于esd 坚固耐用.
>6kv 人类 车身 型号
更换npn &放大器; pnp数字 晶体管.
这些 双 n&放大器; p channel逻辑 水平 增强功能 模式字段
效果晶体管是 生产 使用 仙童's 专有,
高 细胞 密度, dmos 技术. 这个 很 高 密度
流程 是 尤其是 量身定制 至 最小化 开启状态 电阻.
这设备 是 一个 改进设计 尤其是 用于 低 电压
应用程序 作为 一个 更换用于双极性 数字 晶体管 入点
荷载 开关应用程序. 自 偏差 电阻 是 不
必填项, 这个 双数字场效应晶体管 可以 更换 几个 数字
晶体管与 差异 偏差 电阻.
标记: .322
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
tm
-6
1
5
3
2
6
4
© 1997 仙童 半导体 公司
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