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资料编号:323037
 
资料名称:FDC2612
 
文件大小: 201.74K
   
说明
 
介绍:
200V N-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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二月 2002
2002 仙童 半导体 公司
fdc2612 rev b3 (w)
FDC2612
200v n通道 powertrench

场效应晶体管
概述 描述
这个 n通道 场效应晶体管 有 被 设计
具体而言 至 改善 这 总体 效率 的 直流/直流
转换器 使用 要么 同步 或 常规
低 闸门 费用, 低 右
ds(开启)
和 快 开关 速度.
应用程序
直流/直流 变频器
特点
1.1 一个, 200 v.
ds(开启)
= 725 m
@ v
gs
= 10 v
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
高 电源 和 电流 搬运 能力
快 开关 速度
低 闸门 费用 (8nc 典型)
d
d
d
s
d
g
supersot -6
tm
6
5
4
1
2
3
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 200 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20
v
d
排水管 电流 – 连续
(备注 1a)
1.1 一个
– 脉冲 4
最大值 电源 耗散
(备注 1a)
1.6 wp
d
(备注 1b)
0.8
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围
55 至 +150
°
c
热 特性
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
78
°
c/w
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
30
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
.262 fdc2612 7’’ 8mm 3000 单位
FDC2612
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