©2003 仙童 半导体 公司
july 2003
fdd13an06a0 rev. a1
FDD13AN06A0
FDD13AN06A0
n通道 powertrench
®
场效应晶体管
60v, 50a, 13.5m
Ω
特点
•r
ds(开启)
= 11.5m
Ω
(典型值.), v
gs
= 10v, 我
d
= 50a
•Q
g
(tot) = 22nc (典型值.), v
gs
= 10v
• 低 miller 费用
•low q
rr
车身 二极管
• uis 能力 (单独 脉冲 和 重复性 脉冲)
• 合格 至 aec q101
以前 developmental 类型 82555
应用程序
• 电机 / 车身 荷载 控制
• abs 系统
• powertrain 管理
• 注射 系统
• 直流-直流 转换器 和 离线 ups
• 分布式 电源 体系结构 和 vrms
• 主要 开关 用于 12v 和 24v 系统
场效应晶体管 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
热 特性
这个 产品 有 被 设计 至 满足 这 极端 测试一下 条件 和 环境 要求 由 这 汽车 行业. 用于 一个
复制 的 这 要求, 请参见 aec q101 在: http://www.aecouncil.com/
可靠性 数据 可以 是 已找到 在: http://www.仙女半.com/公共关系产品/离散/可靠性/索引.html.
全部 仙童 半导体 产品 是 已制造, 已装配 和 已测试 下 iso9000 和 qs9000 质量 系统
认证.
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
排水管 至 来源 电压 60 v
v
gs
闸门 至 来源 电压
±
20 v
我
d
排水管 电流
50 一个
连续 (t
c
&指示灯; 80
o
c, v
gs
= 10v)
连续 (t
一个
= 25
o
c, v
gs
= 10v, 右
θ
ja
= 52
o
c/w) 9.9 一个
脉冲 图 4 一个
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源 ( 备注 1) 56 mJ
p
d
电源 耗散 115 w
降额 以上 25
o
c0.77w/
o
c
t
j
, t
stg
操作 和 存储 温度 -55 至 175
o
c
右
θ
jc
热 电阻 接合点 至 案例 至-252 1.3
o
c/w
右
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-252 100
o
c/w
右
θ
ja
热 电阻 接合点 至 环境 至-252, 1in
2
铜 衬垫 面积 52
o
c/w
d
g
s
至-252aa
fdd 系列
闸门
来源
(法兰)
排水管
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