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资料编号:323229
 
资料名称:FDD6030
 
文件大小: 169.53K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
 
1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FDD6030L
fdd6030l rev. a1
FDD6030L
n通道 逻辑 水平 增强功能 模式 字段 效果
晶体管
特点
50 一个, 30 v. 右
ds(开启)
= 0.0135
@ v
gs
= 10 v
ds(开启)
= 0.0200
@ v
gs
= 4.5 v.
低 闸门 费用.
快 开关 速度.
低 crss.
1999 仙童 半导体 公司
预付款 信息
g
s
d
至-252
s
d
g
绝对 马克西姆额定值
t
c
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20 v
d
最大值 排水管 电流 -连续
(备注 1)
50
(备注 1a)
12
最大值 排水管 电流 -脉冲 150
一个
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 25
o
c
(备注 1)
60
t
一个
= 25
o
c
(备注 1a)
3.2
p
d
t
一个
= 25
o
c
(备注 1b)
1.3
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 -55 至 +150
°
c
热 特性
θ
jc
热 电阻, 接合点-至- 案例
(备注 1)
2.1
°
c/w
39
°
c/wr
θ
ja
热 电阻, 接合点-至- 环境
(备注 1a)
(备注 1b)
96
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDD6030L FDD6030L 13’’ 16mm 2500
概述 描述
这些 n通道 逻辑 水平 增强功能 模式 电源
字段 效果 晶体管 是 生产 使用 仙童’s
专有, 高 细胞 密度, dmos 技术. 这个
很 高 密度 流程 是 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻. 这些 设备 是
特别是 适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为
直流/直流 转换器 和 高 效率 开关 电路
在哪里 快 开关, 低 在线 电源 损失, 和
电阻 至 瞬变 是 需要.
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