FDD5670
fdd5670 rev. 一个
FDD5670
60v n通道 powertrench
tm
场效应晶体管
特点
•
48 一个, 60 v. 右
ds(开启)
= 0.015
Ω
@ v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
= 0.018
Ω
@ v
gs
= 6 v.
•
低 闸门 费用.
•
快 开关 速度.
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启
)
.
1999 仙童 半导体 公司
march 1999
预付款 信息
g
s
d
至-252
s
d
g
绝对 最大值 额定值
t
c
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 60 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20
v
我
d
最大值 排水管 电流 -连续
(备注 1)
48
(备注 1a)
10
最大值 排水管 电流 -脉冲 100
一个
最大值 电源 耗散 @ t
c
= 25
o
c
(备注 1)
70
t
一个
= 25
o
c
(备注 1a)
2.8
p
d
t
一个
= 25
o
c
(备注 1b)
1.3
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 t温度 右安吉 -55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
jc
热 电阻, 接合点-至- 案例
(备注 1)
1.8
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 接合点-至- 环境
(备注 1b)
96
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 marking 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDD5670 FDD5670 13’’ 16mm 2500
概述 描述
这个 n通道 场效应晶体管 有 被 设计 具体而言
至 改善 这 总体 效率 的 直流/直流 转换器
使用 要么 同步 或 常规 开关
pwm 控制器.
这些 mosfets 功能 更快 开关 和 下部
闸门 费用 比 其他 mosfets 与 可比
右
ds(开启)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动器
(甚至 在 很 高 频率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 与 较高 总体 效率.
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