二月 2001
2001 仙童 半导体 公司 fdd3680 rev b1(w)
FDD3680
100v n通道PowerTrench
场效应晶体管
概述 描述
这个 n通道 场效应晶体管 有 被 设计
具体而言 至 改善 这 总体 效率 的 直流/直流
转换器 使用 要么 同步 或 常规
开关 pwm 控制器.
这些 mosfets 功能 更快 开关 和 下部
闸门 费用 比 其他 mosfets 与 可比
右
ds(开启)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动器
(甚至 在 很 高 频率), 和 直流/直流 电源
供应 设计 与 较高 总体 效率.
特点
•
25 一个, 100 v. 右
ds(开启)
= 46 m
Ω
@ v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
= 51 m
Ω
@ v
gs
= 6 v
•
低 闸门 费用 (38nc 典型)
•
快 开关 速度
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
高 电源 和 电流 搬运 能力.
g
s
d
至-252
s
d
g
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 100 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
20
v
我
d
排水管 电流 – 连续 (备注 1) 25 一个
排水管 电流 – 脉冲 100
最大值 电源 耗散 (备注 1) 68
(备注 1a)
3.8
p
d
(备注 1b)
1.6
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +175
°
c
热 特性
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 (备注 1) 2.2
°
c/w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 (备注 1b) 96
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDD3680 FDD3680 13’’ 16mm 2500 单位
FDD3680
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