March1998
FDN358P
P-频道逻辑 水平的 增强 模式 地方 效应 晶体管
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 其它 wise 指出
标识 参数 FDN358P 单位
V
DSS
流-源 电压 -30 V
V
GSS
门-源 电压 ±20 V
I
D
流/输出 电流 - 持续的 -1.5 一个
- 搏动 -5
P
D
最大电源 消耗(便条 1a) 0.5 W
(便条 1b)
0.46
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的(便条 1a) 250 °c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况(便条 1) 75 °c/w
FDN358Prev.d
-1.5一个, -30v, r
ds(在)
= 0.125
Ω
@ v
GS
= -10V
R
ds(在)
= 0.20
Ω
@ v
GS
= - 4.5v.
高 电源 版本 的 工业 sot-23 包装:identical
管脚 输出 至 sot-23; 30% 高等级的 电源 处理 能力.
高 密度 cell 设计为极其 低 r
ds(在)
.
exceptional 在-阻抗 和 最大 直流 电流
能力.
SuperSOT
TM
-3P-channel 逻辑 水平的 增强 模式
电源 地方 效应 晶体管 是 生产 使用 仙童's
专卖的, 高 cell 密度, dmos 技术. 这个 非常
高 密度 处理 是 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗.这些 设备 是 特别 suited 为
低 电压 产品 在 notebook 计算机, 可携带的
phones, pcmcia cards, 和其它 电池 powered 电路
在哪里 快切换, 和 低 在-线条 电源 丧失是 需要
在 一个 非常 小 外形 表面 挂载 包装.
G
D
S
supersot -3
TM
358
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8 sot-223
SuperSOT
TM
-3
SuperSOT
TM
-6
D
S
G
© 1998 仙童 半导体 公司
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