january 2005
©
2005 仙童 半导体 公司
fdp6670as/fdb6670as rev 一个(x)
fdp6670as/fdb6670as
30v n
-
频道 powertrench
®
SyncFET
™
一般 描述
这个 场效应晶体管 是 设计 至 替代 一个 单独的 场效应晶体管
和 并行的 肖特基 二极管 在 同步的 直流:直流
电源 供应. 这个 30v 场效应晶体管 是 设计 至
maximize 电源 转换 efficiency, 供应 一个 低
R
ds(在)
和 低 门 承担. 这 fdp6670as
包含 一个 整体的 肖特基 二极管 使用 仙童’s
大而单一的 syncfet 技术. 这 效能 的
这 fdp6670as/fdb6670as 作 这 低-一侧 转变 在
一个 同步的 整流器 是indistinguishable 从 这
效能 的 这 fdp6670a/fdb6670a 在 并行的
和 一个 肖特基 二极管.
特性
•
31 一个, 30 v. R
ds(在)
= 8.5 m
Ω
@ v
GS
= 10 v
R
ds(在)
= 10.5 m
Ω
@ v
GS
= 4.5 v
•
包含 syncfet 肖特基 身体 二极管
•
低 门 承担 (28nc 典型)
•
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
和 快 切换
•
高 电源 和 电流 处理 能力
S
G
D
至-220
fdp 序列
D
G
S
至-263ab
fdb 序列
S
G
D
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 30 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
V
I
D
流 电流 – 持续的
62
一个
– 搏动
(便条 1)
150
P
D
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C
62.5
W
减额 在之上 25
°
C
0.5
w/
°
C
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
T
L
最大 含铅的 温度 为 焊接 目的,
1/8” 从 情况 为 5 秒
275
°
C
热的 特性
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况
2.1
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
62.5
°
c/w
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDB6670AS FDB6670AS 13’’ 24mm 800 单位
fdb6670as fdb6670as_nl
(便条 3)
13’’ 24mm 800 单位
fdp6670as fdp6670as Tube n/一个 45
fdp6670as fdp6670as_nl
(便条 4)
Tube n/一个 45
fdp6670as/fdb6670as
: 点此下载
