january 2000
fDS6690
单独n通道 逻辑 水平 pwm 优化 powertrench®场效应晶体管
概述 描述特点
绝对 最大值 额定值
t
一个
= 25
o
c 除非 其他 智者 已注明
符号 参数 fDS6690 单位
v
DSS
漏源 电压 30 v
v
GSS
栅极-源极 电压 ±20 v
我
d
排水管 电流 - 连续
(备注 1a)
10 一个
- 脉冲 50
p
d
电源 耗散用于 单独 操作
(备注 1a)
2.5 w
(备注 1b)
1.2
(备注 1c)
1
t
j
,t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境
(备注 1a)
50 °c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体
(备注 1)
25 °c/w
FDS6690rev.c
10一个, 30 v. 右
ds(开启)
= 0.0135
Ω
@v
gs
= 10 v
右
ds(开启)
= 0.0200
Ω
@v
gs
= 4.5 v.
优化 用于 使用 入点 开关 直流/直流 转换器 与
pwm 控制器.
很 快开关.
低 闸门 费用 (qg 典型值 = 13nc).
sot-23
SuperSOT
tm
-8
soic-16
所以-8 sot-223
SuperSOT
tm
-6
这个n 频道 逻辑 水平 场效应晶体管 有被 设计
具体而言 至 改善 这 总体 效率 的直流/直流
转换器 使用 要么 同步 或 常规开关
pwm 控制器.
这 场效应晶体管 特点 更快 开关 和 下部 闸门 费用
比 其他 mosfets 与 可比右
ds(开启)
规格.
这 结果 是 一个 场效应晶体管 那 是 容易 和 safer 至 驱动器 (甚至 在
很 高 频率), 和 直流/直流 电源 供应设计 与
较高 总体 效率.
1
6
7
8
2
4
3
5
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
管脚
1
FDS
6690
© 1998 仙童 半导体 公司
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