october 2001
2001 仙童 半导体 公司
fds6898az rev c (w)
FDS6898AZ
双 n通道 逻辑 水平 pwm 优化 powertrench
场效应晶体管
概述 描述
这些 n通道 逻辑 水平 mosfets 是 生产
使用 仙童 半导体’s 高级
powertrench 流程 那 有 被 尤其是 量身定制
至 最小化 这 开启状态 电阻 和 然而 维护
上级 开关 业绩.
这些 设备 是 井 适合 用于 低 电压 和
蓄电池 通电 应用程序 在哪里 低 在线 电源
损失 和 快 开关 是 必填项.
特点
•
9.4 一个, 20 v 右
ds(开启)
= 14 m
Ω
@ v
gs
= 4.5 v
右
ds(开启)
= 18 m
Ω
@ v
gs
= 2.5 v
•
低 闸门 费用 (16nc 典型)
•
esd 保护 二极管 (备注 3)
•
高 业绩 海沟 技术 用于 极其
低 右
ds(开启)
•
高 电源 和 电流 搬运 能力
s
d
s
s
所以-8
d
d
d
g
D2
D2
D1
D1
S2
G2
S1
G1
管脚 1
所以-8
45
36
27
18
Q1
Q2
绝对 最大值 额定值
t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明
符号 参数 额定值 单位
v
DSS
漏源 电压 20 v
v
GSS
栅极-源极 电压
±
12 v
我
d
排水管 电流 – 连续 (备注 1a) 9.4 一个
– 脉冲 38
电源 耗散 用于 双 操作 2
电源 耗散 用于 单独 操作 (备注 1a) 1.6
(备注 1b)
1
p
d
(备注 1c)
0.9
w
t
j
, t
stg
操作 和 存储 接合点 温度 范围 –55 至 +150
°
c
热 特性
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 (备注 1a) 78
°
c/w
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 (备注 1) 40
°
c/w
包装 标记 和 订购 信息
设备 标记 设备 卷轴 尺寸 胶带 宽度 数量
FDS6898AZ FDS6898AZ 13’’ 12mm 2500 单位
FDS6898AZ
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