October1997
FDV302P
数字的 场效应晶体管,P-频道
一般 描述特性
绝对 最大 比率
T
一个
= 25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 FDV302P 单位
V
DSS
流-源 电压 -25 V
V
GSS
门-源 电压 -8 V
I
D
流电流 - 持续的 -0.12 一个
- 搏动 -0.5
P
D
最大电源 消耗 0.35 W
T
J
,t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 150 °C
静电释放 静电的 释放 比率 mil-标准-883d
人 身体 模型 (100pf / 1500 ohm)
6.0 kV
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 357 °c/w
fdv302p rev. f
-25 v, -0.12一个 持续的, -0.5一个 顶峰.
R
ds(在)
= 13
Ω
@ v
GS
= -2.7V
R
ds(在)
=10
Ω
@ v
GS
= -4.5 v.
非常 低 水平的 门 驱动 (所需的)东西 准许直接
运作 在 3v 电路. v
gs(th)
< 1.5v.
门-源 齐纳 为静电释放 强壮.
>6kv 人 身体 模型
紧凑的 工业 标准 sot-23 表面 mount
包装.
替代 许多 pnp 数字的 晶体管 (dtcx 和 dcdx)
和 一个 dmos 场效应晶体管.
这个P-channel 逻辑 水平的 增强 模式地方 效应
晶体管 是生产 使用 仙童's 专卖的, 高 cell
密度, dmos 技术. 这个 非常 高 密度 处理 是
特别 tailored 至 降低 在-状态 阻抗.这个
设备 有 被 设计 特别 为 低 电压
产品 作 一个 替换 为 数字的 晶体管.自从
偏差 电阻器 是 不 必需的, 这个 一个 p-频道 场效应晶体管 能
替代 一些 数字的 晶体管 和 不同的 偏差 电阻器
此类 作这 dtcx和 dcdx序列.
mark:302
S
D
G
sot-23
SuperSOT
TM
-8
soic-16
所以-8
sot-223
SuperSOT
TM
-6
© 1997 仙童 半导体 公司
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