1996 微芯片 技术 公司
初步
ds21170a-第页 1
特点
• iso 标准 7816 衬垫 位置
• 低 电源 cmos 技术
- 1 ma 活动 电流 典型
- 10
µ
一个 备用 电流 典型 在 5.5v
• 有组织的 作为 一个 单独 块 的 128 字节数 (128 x 8)
或 256 字节数 (256 x 8)
• 双线 串行 接口 总线, 我
2
c
兼容
• 100 khz 和 400 khz 兼容性
• 自定时 写 循环 (包括 自动-擦除)
• 第页-写 缓冲区 用于 向上 至 8 字节数
• 2 ms 典型 写 循环 时间 用于 第页-写
• esd 保护 > 4 kv
• 1,000,000 e?/w 循环次数 保证
• 数据 保留 > 200 年
• 可用 用于 扩展 温度 范围
描述
这 微芯片 技术 公司 24c01sc 和
24c02sc 是 1k-有点 和 2k-有点 电气 可擦除
proms 与 bondpad 职位 优化 用于 智能
卡片 应用程序. 这 设备 是 有组织的 作为 一个 罪-
gle 块 的 128 x 8-有点 或 256 x 8-有点 记忆 与 一个
双线 串行 接口. 这 24c01sc 和 24c02sc
也 有 第页-写 能力 用于 向上 至 8 字节数 的 数据.
- 商业 (c): 0
°
c 至 +70
°
c
模具 布局
块 图表
SDA
直流
v
抄送
scl
v
ss
hv 发电机
可擦可编程只读存储器
阵列
第页 锁扣
YDEC
XDEC
感觉 放大器
右/w 控制
记忆
控制
逻辑
我/o
控制
逻辑
SDA scl
v
抄送
v
ss
1k/2k 5.0v 我
2
c 串行 eeproms 用于 智能 卡片
24c01sc/02sc
我
2
c 是 一个 商标 的 飞利浦 公司.
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