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ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件, 和 尺寸.
符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
c 至 150
c 300 v
v
DGR
t
j
= 25
c 至 150
c; 右
gs
= 1 m
300 v
v
gs
连续
20 v
v
GSM
瞬态
30 v
我
D25
t
c
= 25
c 35N30 35 一个
40N30 40 一个
我
dm
t
c
= 25
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
35N30 140 一个
40N30 160 一个
我
ar
t
c
= 25
c 35N30 35 一个
40N30 40 一个
e?
ar
t
c
= 25
C30mJ
设计验证/dt
我
s
我
dm
, di/dt
100 一个/
s, v
dd
v
DSS
, 5 v/ns
t
j
150
c, 右
g
= 2
p
d
t
c
= 25
c 300 w
t
j
-55 ... +150
c
t
JM
150
c
t
stg
-55 ... +150
c
t
l
1.6 mm (0.062 入点.) 从 案例 用于 10 s 300
c
m
d
安装 扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
至-204 = 18 g, 至-247 = 6 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250
一个 300 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2 4 v
我
GSS
v
gs
=
20 v
直流
, v
ds
= 0
100 不适用
我
DSS
v
ds
= 0.8 • v
DSS
t
j
= 25
c 200
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
C1mA
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
35N30 0.100
FH40N30 0.085
FM40N30 0.088
脉冲 测试一下, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
HiPerFET
tm
电源 mosfets
n通道 增强功能 模式
高 设计验证/dt, 低 t
rr
, hdmos
tm
家庭
v
DSS
我
D25
右
ds(开启)
ixfh/ixfm
35
N30 300 v 35一个 100m
IXFH
40
N30 300 v 40一个 85m
IXFM
40
N30 300 v 40一个 88m
t
rr
200 ns
至-247 广告 (ixfh)
至-204 不良事件 (ixfm)
d
g
特点
• 国际 标准 软件包
• 低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
• 坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
• 松开 归纳 开关 (uis)
额定
• 低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
• 快 内在的 整流器
应用程序
• 直流-直流 转换器
• 同步 整改
• 蓄电池 充电器
• 切换模式 和 谐振模式
电源 供应品
• 直流 斩波器
• 交流电 电机 控制
• 温度 和 照明 控件
• 低 电压 继电器
优点
• 容易 至 安装 与 1 螺钉 (至-247)
(隔离 安装 螺钉 孔)
• 空间 储蓄
• 高 电源 密度
g = 闸门, d = 排水管,
s = 来源, 选项卡 = 排水管
91523f (07/00)
(选项卡)
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