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符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
c 至 150
c 150 v
v
DGR
t
j
= 25
c 至 150
c; 右
gs
= 1 m
150 v
v
gs
连续
20 v
v
GSM
瞬态
30 v
我
D25
t
c
= 25
C80A
我
dm
t
c
= 25
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
320 一个
我
ar
t
c
= 25
C80A
e?
ar
t
c
= 25
C45mJ
e?
作为
t
c
= 25
c 1.5 j
设计验证/dt
我
s
我
dm
, di/dt
100 一个/
s, v
dd
v
DSS
, 5 v/ns
t
j
150
c, 右
g
= 2
p
d
t
c
= 25
c 360 w
t
j
-55 ... +150
c
t
JM
150
c
t
stg
-55 ... +150
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点) 从 案例 用于 10 s 300
c
m
d
安装 扭矩 至-247 1.13/10 nm/磅.入点.
至-264 0.9/6 nm/磅.入点.
重量
至-247 6 g
至-264 10 g
至-268 4 g
HiPerFET
tm
电源 mosfets
q-类
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定, 高 设计验证/dt, 低 q
g
特点
低 闸门 费用
国际 标准 软件包
环氧树脂
满足
ul
94
v-0, 可燃性
分类
低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
雪崩 能源 和 电流 额定
快 内在的 整流器
优点
容易 至 安装
空间 储蓄
高 电源 密度
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250 ua 150 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2.0 4.0 v
我
GSS
v
gs
=
20 v
直流
, v
ds
= 0
100 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
C25
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
C1mA
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 • 我
D25
22.5 m
脉冲 测试一下, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
g = 闸门
s = 来源 选项卡 = 排水管
98725 (05/31/00)
(选项卡)
(选项卡)
g
s
至-264 aa (ixfk)
s
g
d
d (选项卡)
ixfh 80n15q
ixfk 80n15q
ixft 80n15q
v
DSS
= 150 v
我
D25
= 80 一个
右
ds(开启)
=22.5
t
rr
200
初步 数据 工作表
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