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符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
c 至 150
c 200 v
v
DGR
t
j
= 25
c 至 150
c; 右
gs
= 1 m
200 v
v
gs
连续
20 v
v
GSM
瞬态
30 v
我
D25
t
c
= 25
C80A
我
dm
t
c
= 25
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
320 一个
我
ar
t
c
= 25
C80A
e?
ar
t
c
= 25
C45mJ
e?
作为
t
c
= 25
c 1.5 j
设计验证/dt
我
s
我
dm
, di/dt
100 一个/
s, v
dd
v
DSS
, 5 v/ns
t
j
150
c, 右
g
= 2
p
d
t
c
= 25
c 360 w
t
j
-55 ... +150
c
t
JM
150
c
t
stg
-55 ... +150
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点) 从 案例 用于 10 s 300
c
m
d
安装 扭矩 至-247 1.13/10 nm/磅.入点.
至-264 0.9/6 nm/磅.入点.
重量
至-247 6 g
至-264 10 g
至-268 4 g
HiPerFET
tm
电源 mosfets
q-类
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定, 高 设计验证/dt, 低 q
g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250 ua 200 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2.0 4.0 v
我
GSS
v
gs
=
20 v
直流
, v
ds
= 0
100 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
C25
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
C1mA
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 • 我
D25
28 m
脉冲 测试一下, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
g = 闸门
s = 来源 选项卡 = 排水管
98605a (6/99)
至-247 广告 (ixfh)
(选项卡)
至-268 (d3) ( ixft)
(选项卡)
g
s
至-264 aa (ixfk)
s
g
d
d (选项卡)
v
DSS
= 200 v
我
D25
= 80 一个
右
ds(开启)
= 28m
t
rr
200 ns
初步 数据 工作表
ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件, 和 尺寸.
特点
• 低 闸门 费用
• 国际 标准 软件包
• 环氧树脂
满足
ul
94
v-0, 可燃性
分类
• 低 右
ds (开启)
HDMOS
tm
流程
• 坚固耐用 多晶硅 闸门 细胞 结构
• 雪崩 能源 和 电流 额定
• 快 内在的 整流器
优点
• 容易 至 安装
• 空间 储蓄
• 高 电源 密度
ixfh 80n20q
ixfk 80n20q
ixft 80n20q
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