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资料编号:326734
 
资料名称:IXFH80N085
 
文件大小: 54.02K
   
说明
 
介绍:
HiPerFETTM Power MOSFETs
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号IXFH80N085的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1 - 2
© 2000 ixys 全部 权利 保留
符号 测试一下 条件 最大值 额定值
v
DSS
t
j
= 25
c 至 150
C85V
v
DGR
t
j
= 25
c 至 150
c; 右
gs
= 1 m
85 v
v
gs
连续

20 v
v
GSM
瞬态

30 v
D25
t
c
= 25
C80A
l(rms)
铅 电流 限制 75 一个
dm
t
c
= 25
JM
320 一个
ar
t
c
= 25
C80A
e?
ar
t
c
= 25
C50mJ
e?
作为
2.5 j
设计验证/dt
s
dm
, di/dt
100 一个/
s, v
dd
v
DSS
, 5 v/ns
t
j
150
c, 右
g
= 2
p
d
t
c
= 25
c 300 w
t
j
-55 至 +150
c
t
JM
150
c
t
stg
-55 至 +150
c
t
l
1.6 mm (0.063 入点) 从 案例 用于 10 s 300
c
m
d
安装 扭矩 1.13/10 nm/磅.入点.
重量
至-247 6 g
至-268 4 g
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定, 高 设计验证/dt
初步 数据 工作表
特点
国际 标准 软件包
低 右
ds (开启)
额定 用于 松开 归纳 荷载
开关 (uis)
成型 环氧树脂 满足 ul
94
v-0
可燃性 分类
优点
容易 至 安装
空间 储蓄
高 电源 密度
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 1 ma 85 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4 ma 2.0 4.0 v
GSS
v
gs
=
20 v
直流
, v
ds
= 0
100 不适用
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
C50
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
C1mA
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
9m
脉冲 测试一下, t
300
s, 职责 循环 d

2 %
至-247 广告 (ixfh)
g = 闸门 d = 排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
HiPerFET
tm
电源 mosfets
至-268 (ixft) 案例 风格
(选项卡)
g
s
v
DSS
= 85 v
D25
= 80 一个
ds(开启)
=9 m
t
rr

200 ns
ixfh 80n085
ixft 80n085
(选项卡)
98709 (03/24/00)ixys 储备金 这 右侧 至 变更 限制, 测试一下 条件, 和 尺寸.
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