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资料编号:326736
 
资料名称:SFH9154
 
文件大小: 231.41K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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1
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SFH9154
BV
DSS
= -150 v
ds(开启)
= 0.2
d
= -18 一个
-150
-18
-11.5
-72
±
30
1215
-18
20.4
-5.0
204
1.63
- 55 至 +150
300
0.61
--
40
--
0.24
--
1
雪崩 坚固耐用 技术
坚固耐用 闸门 氧化物 技术
下部 输入 电容
改进 闸门 费用
扩展 安全 操作 面积
150
o
c 操作 温度
下部 泄漏 电流 : 10
µ
ds
= -150v
下部 右
ds(开启)
: 0.140
(典型值.)
高级 电源 场效应晶体管
热 电阻
连接至壳体
案例-至-水槽
交叉点到环境
θ
jc
θ
cs
θ
ja
o
c/w
特性 最大值 单位符号 典型值
特点
绝对 最大值 额定值
漏源 电压
连续 排水管 电流 (t
c
=25
o
c)
连续 排水管 电流 (t
c
=100
o
c)
排水管 电流-脉冲
栅极到源极 电压
单独 脉冲 雪崩 能源
雪崩 电流
重复性 雪崩 能源
峰值 二极管 回收 设计验证/dt
合计 电源 耗散 (t
c
=25
o
c)
线性 降额 因素
操作 接合点 和
存储 温度 范围
最大值 铅 温度 用于 焊接
目的, 1/8
从 案例 用于 5-秒
特性 单位符号
dm
v
gs
e?
作为
ar
e?
ar
设计验证/dt
d
p
d
t
j
, t
stg
t
l
一个
v
mJ
一个
mJ
v/ns
w
w/
o
c
一个
o
c
v
DSS
v
至-3p
1.闸门 2. 排水管 3. 来源
3
2
1
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