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符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
=25
°
c至150
°
c 300 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
300 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
= 25
°
C73A
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
292 一个
我
ar
t
c
= 25
°
C73A
e?
ar
t
c
=25
°
C60mJ
e?
作为
t
c
=25
°
c 2.5 j
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
5 v/ns
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
=25
°
c 500 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6mm(0.063 入点.)从案例 用于10s 300
°
c
m
d
安装扭矩 至-264 0.4/6 nm/磅.入点.
重量
加号247 6 g
至-264 10 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 4ma 300 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4ma 2.0 4.0 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v, v
ds
= 0
±
100 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
100
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
c 2 ma
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
22m
Ω
备注 1
98676A (03/24/00)
加号 247
tm
(ixfx)
g
d
(选项卡)
g = 闸门 d=排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
IXFX 90N20Q v
DSS
= 200 v
IXFK 90N20Q 我
D25
= 90 一个
右
ds(开启)
= 22m
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
200
µµ
µµ
µ
s
s
g
d
(选项卡)
至-264 aa (ixfk)
高级技术类信息
HiPerFET
tm
电源 mosfets
q-类
单独 场效应晶体管 模具
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定,
低 qg,
高 设计验证/dt,
低 t
rr
特点
ixys 高级 低 q
g
流程
低 闸门 费用 和 电容
- 更容易 至 驱动器
- 更快 开关
国际 标准 软件包
低 右
ds (开启)
额定 用于 松开 归纳 荷载
开关 (uis) 额定
成型 环氧树脂 满足 ul
94
v-0
可燃性 分类
应用程序
直流-直流 转换器
蓄电池充电器
切换模式 和 谐振模式
电源 供应品
直流 斩波器
交流电 电机 控制
温度 和 照明 控件
优点
加号247
tm
包装用于夹子或弹簧
安装
空间 储蓄
高电源密度
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