IRFIZ44N
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1403a
s
d
g
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.024
Ω
我
d
= 31a
高级 流程 技术
隔离 包装
高 电压 隔离 = 2.5kvrms
水槽 至 铅 爬电距离 dist. = 4.8mm
完全 雪崩 额定
至-220 fullpak
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 3.3
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 65
热 电阻
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器
利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个 效益,
合并 与 这 快 开关 速度 和 加固
设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井
已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其 高效
和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 至-220 fullpak 消除 这 需要 用于 附加
insulating 硬件 入点 商业-工业 应用程序.
这 moulding 化合物 已使用 提供 一个 高 隔离
能力 和 一个 低 热 电阻 之间 这 选项卡
和 外部 散热器. 这个 隔离 是 等效 至 使用
一个 100 微米 云母 护栏 与 标准 至-220 产品.
这 fullpak 是 已安装 至 一个 散热器 使用 一个 单独 夹子 或
由 一个 单独 螺钉 固定.
8/25/97
描述
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 31
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 22 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
160
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 45 w
线性 降额 因素 0.3 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
210 mJ
我
ar
雪崩 电流
25 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
4.5 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
°c/w
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