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符号 测试一下 条件 最大值额定值
v
DSS
t
j
= 25
°
c 至150
°
c 500 v
v
DGR
t
j
= 25
°
c 至 150
°
c; 右
gs
= 1 m
Ω
500 v
v
gs
连续
±
20 v
v
GSM
瞬态
±
30 v
我
D25
t
c
=25
°
C44A
我
dm
t
c
= 25
°
c, 脉冲 宽度 有限 由 t
JM
184 一个
我
ar
t
c
= 25
°
C44A
e?
ar
t
c
=25
°
C60mJ
e?
作为
t
c
=25
°
c 2.5 j
设计验证/dt
我
s
≤
我
dm
, di/dt
≤
100 一个/
µ
s, v
dd
≤
v
DSS
10 v/ns
t
j
≤
150
°
c, 右
g
= 2
Ω
p
d
t
c
=25
°
c 500 w
t
j
-55 ... +150
°
c
t
JM
150
°
c
t
stg
-55 ... +150
°
c
t
l
1.6mm(0.063入点.)从案例用于10s 300
°
c
m
d
安装扭矩 至-264 0.4/6nm/磅.入点.
重量
加号247 6 g
至-264 10 g
符号 测试一下 条件 特性 数值
(t
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
v
DSS
v
gs
= 0 v, 我
d
= 250ua 500 v
v
gs(th)
v
ds
= v
gs
, 我
d
= 4ma 3.0 5.0 v
我
GSS
v
gs
=
±
20 v, v
ds
= 0
±
100 不适用
我
DSS
v
ds
= v
DSS
t
j
= 25
°
c 100
µ
一个
v
gs
= 0 v t
j
= 125
°
c 2 ma
右
ds(开启)
v
gs
= 10 v, 我
d
= 0.5 我
D25
120 m
Ω
备注1
98731A(01/02)
加号 247
tm
(ixfx)
g
d
(选项卡)
g = 闸门 d=排水管
s = 来源 选项卡 = 排水管
s
g
d
(选项卡)
至-264 aa (ixfk)
HiPerRF
tm
电源 mosfets
f-类: 兆赫兹 开关
单独 场效应晶体管模具
n通道 增强功能 模式
雪崩 额定,
低 q
g
,
低 内在的 右
g
高 设计验证/dt,
低 t
rr
特点
rf 有能力 mosfets
双 金属 流程 用于 低 闸门
电阻
松开归纳开关(uis)
额定
低 包装 电感
- 容易 至 驱动器 和 至 保护
快内在的整流器
应用程序
直流-直流 转换器
切换模式 和 谐振模式
电源 供应品, >500khz 开关
直流 斩波器
13.5 MHz 工业 应用程序
脉冲 世代
激光 驱动程序
RF 放大器
优点
加号247
tm
包装用于夹子或弹簧
安装
空间 储蓄
高电源密度
IXFX 44N50F v
DSS
= 500 v
IXFK 44N50F 我
D25
= 44 一个
右
ds(开启)
= 120 m
ΩΩ
ΩΩ
Ω
t
rr
≤ ≤
≤ ≤
≤
250 ns
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