初步
这个 数据 工作表 包含 规格 用于 一个 产品 下 发展.
ramtron 国际 公司
表征 是 不 完成; 规格 将 变更 无 通知. 1850 ramtron 驱动器, colorado springs, 一氧化碳 80921
(800) 545-fram, (719) 481-7000, 传真 (719) 481-7058
www.ramtron.com
23March2001 1/11
FM18L08
256kb 2.7-3.6v 字节宽 fram 记忆
特点
256k 有点 ferroelectric 非挥发性 ram
•
有组织的 作为 32,768 x 8 比特
•
10 年份 数据 保留 在 85
°
c
•
无限 阅读/写 循环次数
•
nodelay™ 写
•
高级 高-可靠性 ferroelectric 流程
Superior 至 蓄电池-背 sram
•
否 蓄电池 关注事项
•
单片 可靠性
•
真 表面 安装 解决方案, 否 返工 步骤
•
上级 用于 水分, 电击, 和 振动
•
耐 至 负 电压 undershoots
sram &放大器; 可擦可编程只读存储器 兼容
•
电子元件工业联合会 32kx8 sram &放大器; eeprom 引出线
•
70 ns 访问权限 时间
•
130 ns 循环 时间
•
相等 访问权限 &放大器; 循环 时间 用于 读取 和 写入
低 电源 操作
•
2.7v 至 3.6v 操作
•
15 ma 活动 电流
•
15
µ
一个 备用 电流
行业 标准 配置
•
工业 温度-40
°
c 至 +85
°
c
•
28-p入点 sop 或 倾角
描述
这 fm18l08 是 一个 256-kilobit 非挥发性 记忆
雇用 一个 高级 ferroelectric 流程. 一个
ferroelectric 随机 访问权限 记忆 或 fram 是
非挥发性 但是 操作 入点 其他 尊重 作为 一个 ram.
它 提供 数据 保留 用于 10 years 同时
消除 这 可靠性 关注事项, 功能
缺点 和 系统 设计 复杂性 的
蓄电池-背 sram. 快-写 时间 和 实际上
无限 阅读/写 耐力 制造 它 上级 至
其他 类型 的 非挥发性 记忆 和 一个 不错
代用品 用于 普通 sram.
入点-系统 操作 的 这 fm18l08 是 很 类似 至
其他 ram 基于 设备. 记忆 阅读-和 写-
循环次数 需要 相等 次. 这 fram 记忆,
然而, 是 非挥发性 到期 至 其 独一无二 ferroelectric
记忆 流程. 不像bbsram, 这 fm18l08 是 一个
真的 单片 非挥发性 记忆. 它 提供 这
相同 功能 好处 的 一个 快 写 无 这
严重 缺点 关联的 与 模块 和
电池 或 混合动力 记忆 解决方案.
这些 能力 制造 这 fm18l08理想 用于
非挥发性 记忆 应用程序 要求 频繁 或
快速 写入 入点 一个 字节宽 环境. 这
可用性 的 一个 真 表面-安装 包装 改进
这 可制造性 的 新建 设计, 同时 这 倾角
包装 便利 简单 设计 retrofits. 这
fm18l08 优惠 保证 操作 结束 一个
工业 温度 范围 的-40°c 至 +85°c.
管脚 配置
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
vss DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
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A10
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A11
A9
A8
A13
我们
VDD
订购 信息
FM18L08-70-s 70 ns 访问权限, 28-管脚 sop
FM18L08-70-p 70 ns 访问权限, 28-管脚 倾角
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