首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:329254
 
资料名称:FM1040-T
 
文件大小: 78.26K
   
说明
 
介绍:
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号FM1040-T的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fm1020-t thru fm1040-t
特性
塑料 包装 有 underwriters laboratory
flammability 分类 94v-o utilizing flame
retardant 环氧的 塑造 复合.
为 表面 挂载 产品.
超过 自然环境的 standards 的 mil-s-19500 /
228
低 泄漏 电流.
机械的 数据
情况 : 模塑的 塑料, 电子元件工业联合会 做-214ab
terminals : 焊盘 镀有, solderable 每 mil-标准-750,
方法 2026
极性 : 表明 用 c athode 带宽
挂载 位置 : 任何
重量 : 0.00585 ounce, 0.195 gram
(v)
(
o
c)
fm1020-t SS102 20 14 20
fm1030-t SS103 30 21 30
fm1040-t SS104 40 28 40
SYMBOLS
标记
代号
-55 至 +125
运行
温度
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
0.55
最大 比率
(在 t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
参数 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 调整的 电流 看 图.1
I
O
10.0 一个
向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
比率 加载 (电子元件工业联合会 methode)
I
FSM
150 一个
V
R
= v
RRM
T
一个
= 25
o
C 1.0 毫安
V
R
= v
RRM
T
一个
= 100
o
C 50 毫安
热的 阻抗 接合面 至 包围的
R
q
JA
55
o
c / w
二极管 接合面 电容 f=1mhz 和 应用 4vdc 反转 电压
C
J
700 pF
存储 温度
T
STG
-55 +150
o
C
反转 电流
I
R
*1 repetitive 顶峰 反转 电压
*2 rms 电压
*3 持续的 反转 电压
*4 最大 向前 电压
碎片 肖特基 屏障 二极管
硅 外延的 planer 类型
formosa ms
0.276(7.0)
0.260(6.6)
0.012(0.3) 典型值
0.189(4.8)
0.173(4.4)
0.244(6.2)
0.228(5.8)
0.087(2.2)
0.071(1.8)
0.040 (1.0) 典型值0.040(1.0) 典型值
维度 在 英寸 和 (毫米)
smc-t
0.152(3.8)
0.144(3.6)
0.032(0.8) 典型值
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com