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资料编号:329562
 
资料名称:FM220-C
 
文件大小: 71.21K
   
说明
 
介绍:
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号FM220-C的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fm220-c thru fm2100-c
特性
塑料 包装 有 underwriters laboratory
flammability 分类 94v-o utilizing flame
retardant 环氧的 塑造 复合.
为 表面 挂载 产品.
超过 自然环境的 standards 的 mil-s-19500 /
228
低 泄漏 电流.
机械的 数据
情况 : 模塑的 塑料, 电子元件工业联合会 做-214ac
terminals : 焊盘 镀有, solderable 每 mil-标准-750,
方法 2026
极性 : 表明 用 c athode 带宽
挂载 位置 : 任何
重量 : 0.00585 ounce, 0.195 gram
(v)
(
o
c)
FM220 SK22 20 14 20
FM230 SK23 30 21 30
FM240 SK24 40 28 40
FM250 SK25 50 35 50
FM260 SK26 60 42 60
FM280 SK28 80 56 80
FM2100 S210 100 70 100
SYMBOLS
标记
代号
运行
温度
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
0.70
-55 至 +125
-55 至 +150
0.85
0.55
最大 比率 (在 t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
参数 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 调整的 电流 看 图.1 I
O
2.0 一个
向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
比率 加载 (电子元件工业联合会 methode)
I
FSM
50 一个
V
R
= v
RRM
T
一个
= 25
o
C 0.5 毫安
V
R
= v
RRM
T
一个
= 125
o
C 10 毫安
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
q
JA
75
o
c / w
二极管 接合面 电容 f=1mhz 和 应用 4vdc 反转 电压 C
J
160 pF
存储 温度 T
STG
-55 +150
o
C
反转 电流 I
R
*1 repetitive 顶峰 反转 电压
*2 rms 电压
*3 持续的 反转 电压
*4 最大 向前 电压
碎片 肖特基 屏障 二极管
硅 外延的 planer 类型
formosa ms
0.185(4.8)
0.177(4.4)
0.012(0.3) 典型值
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.165(4.2)
0.150(3.8)
0.067(1.7)
0.060(1.5)
0.040 (1.0) 典型值0.040(1.0) 典型值
维度 在 英寸 和 (毫米)
SMA
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