这个 产品 符合 至 规格 按 这 条款 的 这 ramtron
ramtron 国际 公司
标准 保修. 生产 加工 是否 不 必然 入点- 1850 ramtron 驱动器, colorado 弹簧, 一氧化碳 80921
clude 测试 的 全部 参数. (800) 545-fram, (719) 481-7000, 传真 (719) 481-7058
www.ramtron.com
rev. 2.1
8月. 2003 1 的 14
FM25640
64kb fram 串行 记忆
特点
64k 有点 ferroelectric 非挥发性 ram
•
有组织的 作为 8,192 x 8 比特
•
高 耐力 1 trillion (10
12
) 阅读/写入
•
10 年份 数据 保留
•
nodelay™ 写入
•
高级 高可靠性 ferroelectric 流程
很 快 串行 外围设备 接口 - spi
•
向上 至 5 mhz 最大值 总线 频率
•
直接 硬件 更换 用于 可擦可编程只读存储器
•
spi 模式 0 &放大器; 3 (cpol, cpha=0,0 &放大器; 1,1)
复杂的 写 保护 方案
•
硬件 保护
•
软件 保护
低 电源 消费
•
10
µ
一个 备用 电流
行业 标准 配置
•
工业 温度 -40
°
c 至 +85
°
c
•
8-管脚 soic
描述
这 fm25640 是 一个 64-kilobit 非挥发性 记忆
雇用 一个 高级 ferroelectric 流程. 一个
ferroelectric 随机 访问权限 记忆 或 fram 是
非挥发性 但是 操作 入点 其他 尊重 作为 一个 ram.
它 提供 可靠 数据 保留 用于 10 年 同时
消除 这 复杂性, 管理费用, 和 系统
水平 可靠性 问题 导致 由 可擦可编程只读存储器 和
其他 非挥发性 回忆.
不像 串行 eeproms, 这 fm25640 执行
写 运营 在 总线 速度. 否 写 延误 是
已发生. 数据 是 书面 至 这 记忆 阵列 仅仅是
数百 的 纳秒 之后 它 有 被
成功 已转移 至 这 设备. 这 下一个 总线
循环 将 开始 立即. 入点 加法, 这
产品 优惠 大量的 写 耐力 比较
与 其他 非挥发性 回忆. 这 fm25640 是
有能力 的 支撑 向上 至 10
12
-阅读/写 循环次数 --
远 更多 比 大多数 系统 将 需要 从 一个 串行
记忆.
这些 能力 制造 这 fm25640 理想 用于
非挥发性 记忆 应用程序 要求 频繁
或 快速 写入. 示例 范围 从 数据 收藏,
在哪里 这 号码 的 写 循环次数 将 是 关键, 至
要求苛刻 工业 控件 在哪里 这 长 写
时间 的 可擦可编程只读存储器 可以 原因 数据 损失.
这 fm25640 提供 大量的 好处 至 用户
的 串行 可擦可编程只读存储器, 入点 一个 硬件 drop-in
更换. 这 fm25640 用途 这 高速 spi
总线, 哪个 增强 这 高速 写 能力
的 fram 技术. 这 规格 是
保证 结束 一个 工业 温度 范围 的
-40°c 至 +85°c.
管脚 配置
管脚 姓名 功能
/cs 芯片 选择
/保持 保持
/wp 写 保护
sck 串行 时钟
si 串行 数据 输入
所以 串行 数据 输出
vdd 5v
vss 接地
订购 信息
fm25640-s 8-管脚 soic
cs
所以
WP
vss
VDD
保持
sck
si
1
2
3
4
8
7
6
5
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