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资料编号:329737
 
资料名称:FM3100-ALN
 
文件大小: 72.52K
   
说明
 
介绍:
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号FM3100-ALN的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
芯片 肖特基 护栏 二极管
硅 外延 planer 类型
特点
塑料 包装 有 underwriters 化验室
可燃性 分类 94v-o 利用 火焰
缓凝剂 环氧树脂 成型 化合物.
用于 表面 已安装 应用程序.
超过 环境 标准 的 密耳-s-19500 /
228
低 泄漏 电流.
机械 数据
案例 : 模制 塑料, 电子元件工业联合会 做-214ac
接线端子 : 焊料 电镀, 可焊接 按 密耳-标准-750,
方法 2026
极性 : 显示 由 c athode 乐队
安装 位置 : 任何
重量 : 0.0015 盎司, 0.05 克
fm320-aln 直通 fm3100-aln
formosa ms
(
o
c)
fm320-aln SS32 20 14 20
fm330-aln SS33 30 21 30
fm340-aln SS34 40 28 40
fm350-aln SS35 50 35 50
fm360-aln SS36 60 42 60
fm380-aln SS38 80 56 80
fm3100-aln S310 100 70 100
符号
标记
代码
操作
温度
v
rrm
*1
v
rms
*2
v
*3
v
f
*4
0.50
0.75
0.85
-55 至 +125
-55 至 +150
最大值 额定值 (在 t
一个
=25
o
c 除非 否则 已注明)
参数 条件 符号 最小值 典型值 最大值 单位
前进 已纠正 电流 请参见 无花果.1
o
3.0 一个
前进 浪涌 电流
8.3ms 单独 一半 正弦波 叠加 开启
费率 荷载 (电子元件工业联合会 methode)
FSM
80 一个
v
= v
rrm
t
一个
= 25
o
c 0.5 ma
v
= v
rrm
t
一个
= 125
o
c 20 ma
热 电阻 接合点 至 环境
q
ja
80
o
c / w
二极管 接合点 电容 f=1mhz 和 已应用 4vdc 反向 电压 c
j
250 pf
存储 温度 t
stg
-55 +150
o
c
反向 电流
*1 重复性 峰值 反向 电压
*2 rms 电压
*3 连续 反向 电压
*4 最大值 前进 电压
0.205(5.2)
0.189(4.8)
0.012(0.3) 典型值
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.181(4.6)
0.165(4.2)
0.075(1.9)
0.067(1.7)
0.040 (1.0) 典型值0.040(1.0) 典型值
0.067(1.7)
0.053(1.3)
尺寸 入点 英寸 和 (毫米)
sma-ln
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