碎片 肖特基 屏障 二极管
硅 外延的 planer 类型
特性
塑料 包装 有 underwriters laboratory
flammability 分类 94v-o utilizing flame
retardant 环氧的 塑造 复合.
为 表面 挂载 产品.
超过 自然环境的 standards 的 mil-s-19500 /
228
低 泄漏 电流.
机械的 数据
情况 : 模塑的 塑料, 电子元件工业联合会 做-214ac
terminals : 焊盘 镀有, solderable 每 mil-标准-750,
方法 2026
极性 : 表明 用 c athode 带宽
挂载 位置 : 任何
重量 : 0.0015 ounce, 0.05 gram
fm320-一个 thru fm3100-一个
formosa ms
(v) (v) (v) (v)
(
o
c)
fm320-一个 SS32 20 14 20
fm330-一个 SS33 30 21 30
fm340-一个 SS34 40 28 40
fm350-一个 SS35 50 35 50
fm360-一个 SS36 60 42 60
fm380-一个 SS38 80 56 80
fm3100-一个 S310 100 70 100
0.50
0.75
0.85
-55 至 +125
-55 至 +150
SYMBOLS
标记
代号
运行
温度
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
最大 比率 (在 t
一个
=25
o
c 除非 否则 指出)
参数 情况 标识 最小值 典型值 最大值 单位
向前 调整的 电流 看 图.1 I
O
3.0 一个
向前 surge 电流
8.3ms 单独的 half sine-波 superimposed 在
比率 加载 (电子元件工业联合会 methode)
I
FSM
80 一个
V
R
= v
RRM
T
一个
= 25
o
C 0.5 毫安
V
R
= v
RRM
T
一个
= 125
o
C 20 毫安
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
q
JA
80
o
c / w
二极管 接合面 电容 f=1mhz 和 应用 4vdc 反转 电压 C
J
250 pF
存储 温度 T
STG
-55 +150
o
C
反转 电流 I
R
*1 repetitive 顶峰 反转 电压
*2 rms 电压
*3 持续的 反转 电压
*4 最大 向前 电压
0.185(4.8)
0.173(4.4)
0.012(0.3) 典型值
0.110(2.8)
0.094(2.4)
0.165(4.2)
0.150(3.8)
0.067(1.7)
0.053(1.3)
0.060(1.5)
0.040 (1.0) 典型值0.040(1.0) 典型值
维度 在 英寸 和 (毫米)
sma-n
0.067(1.7)