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资料编号:330461
 
资料名称:FMM300-0055P
 
文件大小: 46.22K
   
说明
 
介绍:
Trench Power MOSFET
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号FMM300-0055P的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1 - 2
© 2004 ixys 所有 权利 保留
419
fmm 300-0055p
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况 和 维度.
I
D25
= 300 一个
V
DSS
= 55 v
R
dson 典型值
= 2.7 m
ΩΩ
ΩΩ
trench 电源 场效应晶体管
phaseleg topology
TM
特性
trench 场效应晶体管
- 非常 低 在 状态 阻抗 r
DSon
-
快 切换
isoplus i4-pac
TM
包装
- 分开的 后面的 表面
- 低 连接 capacity 在 管脚
和 散热器
- enlarged creepage 对着 散热器
- 应用 friendly 引脚
- 低 inductive 电流 path
- 高 可靠性
- 工业 标准 外形
- ul 注册, e 72873
产品
automotive
- 交流 驱动 - starter 发生器
为 12/14 v 等
- choppers - replacing 序列 电阻器
为 直流 驱动, 加热 等
- 直流-直流 转换器 - 在 12v
和 42v 系统 等
- 电子的 switches -replacing 接转
和 fuses
电源 供应
- 直流-直流 转换器
- solar 反相器
- 转换器 为 fuel cells
电池 有提供的 系统
- choppers 或者 反相器 为 驱动 在
hand 使保持 tools
- 电池 chargers
场效应晶体管 t1/t2
标识 情况 最大 比率
V
DSS
T
VJ
= 25°c 至 t
VJmax
55 V
V
GS
±20 V
I
D25
T
C
= 25°c 300 一个
I
D90
T
C
= 90°c 220 一个
I
F25
(身体 二极管) t
C
= 25°c 240 一个
I
F90
(身体 二极管) t
C
= 90°c 150 一个
标识 情况 典型的 值
(t
VJ
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
R
DSon
V
GS
= 10 v;
I
D
= 150 一个 2.7 3.6 m
V
GSth
V
DS
= 20 v;
I
D
= 2 毫安 2 4 V
I
DSS
V
DS
= 55 v;
V
GS
= 0 v; t
VJ
= 25°c 2 µA
T
VJ
= 125°c 0.2 毫安
I
GSS
V
GS
= ±20 v; v
DS
= 0 v 200 nA
Q
g
172 nC
Q
gs
36 nC
Q
gd
50 nC
t
d(在)
25 ns
t
r
50 ns
t
d(止)
70 ns
t
f
40 ns
V
F
(身体 二极管) i
F
= 150 一个;
V
GS
= 0 v 1.1 1.5 V
t
rr
(身体 二极管) i
F
= 40a;
-di/dt = 200a/µs; v
DS
= 30v 100 ns
R
thJC
0.5 k/w
R
thJH
和 热温 转移 paste 1 k/w
V
GS
= 10 v; v
DS
= 44 v; i
D
= 50 一个
V
GS
= 10 v; v
DS
= 30 v
I
D
= 50 一个; r
G
= 4.7
初步的 数据
1
5
T1
T2
1
5
3
4
2
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