FMMT549
pnp低 饱和度 晶体管
这些 设备 是 设计与 高 电流 增益 和 低 饱和度 电压 与 一氧化碳llector 电流 向上 至 2a
con连续的.
绝对 最大值Ratings*
t
一个 = 25°c 除非 否则 已注明
°c-55 至 +150操作 和 存储 接合点 温度 范围
t
j,
t
stg
一个1
2
收集器 电流- 连续
- 峰值 脉冲 电流
我
c
v5发射器-底座 电压
v
EBO
v35收集器-底座 电压
v
CBO
v30集电极-发射极 电压
v
CEO
单位s
FMMT549
参数右符号
*These额定值 是 限制 数值 以上 哪个 这 可维修性 的 任何 半导体 设备 将 是 受损.
备注:
1) 这些 额定值 是 基于 开启 一个 最大值 接合点 温度 的 150°c.
2) 这些 是 稳定 州 限制. 这 工厂 应该 是 咨询 开启 应用程序 涉及 脉冲 或 低 职责 循环 ope口粮.
热 特性
t
一个 = 25°c 除非 否则 已注明
°c/w250热 电阻, 接合点 至 环境
右
θ
ja
mW
mw/°c
500
4
合计 设备Dissipation*
降额以上 25°c
p
d
fMMT549
单位
最大值
Characteristic
符号
*Device已安装 开启 右前-4 pcb 4.5” x 5”; 安装 衬垫 0.02入点
2
的2oz铜.
第页1的2
1998 仙童Semiconducto公司
fmmt549.lwpPrPB7/10/98revB
FMMT549
SuperSOT
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