将 2001
QFET
tm
fqb11p06 / fqi11p06
©2001 仙童 半导体 公司 rev. a4. 将 2001
fqb11p06 / fqi11p06
60v p沟道 场效应晶体管
概述 描述
这些 p沟道 增强功能 模式 电源 字段 效果
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专有,
平面 stripe, dmos 技术.
这个 高级 技术 有 被 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻, 提供 上级 开关
业绩, 和 承受 一个 高 能源 脉冲 入点 这
雪崩 和 换向 模式. 这些 设备 是
井 适合 用于 低 电压 应用程序 这样的 作为 汽车,
直流/直流 转换器, 和 高 效率 开关 用于 电源
管理 入点 便携式 和 蓄电池 操作 产品.
特点
• -11.4a, -60v, 右
ds(开启)
= 0.175
Ω
@V
gs
= -10 v
• 低 闸门 费用 ( 典型 13 nc)
• 低 crss ( 典型 45 pf)
• 快 开关
• 100% 雪崩 已测试
• 改进 设计验证/dt 能力
• 175
°
c 最大值 接合点 温度 评级
绝对 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
热 特性
符号 参数 fqb11p06 / fqi11p06 单位
v
DSS
漏源 电压 -60 v
我
d
排水管 电流
- 连续 (t
c
= 25°c)
-11.4 一个
- 连续 (t
c
= 100°c)
-8.05 一个
我
dm
排水管 电流 - 脉冲
(备注 1)
-45.6 一个
v
GSS
栅极-源极 电压
±
25 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 2)
160 mJ
我
ar
雪崩 电流
(备注 1)
-11.4 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
(备注 1)
5.3 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(备注 3)
-7.0 v/ns
p
d
电源 耗散 (t
一个
= 25°c) *
3.13 w
电源 耗散 (t
c
= 25°c)
53 w
- 降额 以上 25°c 0.35 w/°c
t
j
, t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的,
1/8
"
从 案例 用于 5 秒
300 °C
符号 参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 -- 2.85 °C
/
w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 * -- 40 °C
/
w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 -- 62.5 °C
/
w
* 当 已安装 开启 这 最小值 衬垫 尺寸 推荐 (pcb 安装)
d
2
-pak
fqb 系列
我
2
-pak
fqi 系列
g
s
d
g
s
d
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