©2002 仙童 半导体 公司
fqp18n50v2/fqpf18n50v2
QFET
tm
rev. b, 8月 2002
fqp18n50v2/fqpf18n50v2
500v n通道 场效应晶体管
概述 描述
这些 n通道 增强功能 模式 电源 字段 效果
晶体管 是 生产 使用 仙童’s 专有,
平面 stripe, dmos 技术.
这个 高级 技术 有 被 尤其是 量身定制 至
最小化 开启状态 电阻, 提供 上级 开关
业绩, 和 承受 高 能源 脉冲 入点 这
雪崩 和 换向 模式. 这些 设备 是 井
适合 用于 高 高效 已切换 模式 电源 供应品,
活动 电源 因素 校正, 电子 灯 镇流器
基于 开启 一半 桥梁 拓扑.
特点
• 18a, 500v, 右
ds(开启)
= 0.265
Ω
@V
gs
= 10 v
• 低 闸门 费用 ( 典型 42 nc)
• 低 crss ( 典型 11 pf)
• 快 开关
• 100% 雪崩 已测试
• 改进 设计验证/dt 能力
绝对 最大值 额定值
t
c
= 25°c 除非 否则 已注明
热 特性
符号 参数 FQP18N50V2 FQPF18N50V2 单位
v
DSS
漏源 电压 500 v
我
d
排水管 电流
- 连续 (t
c
= 25°c)
18 18 一个
- 连续 (t
c
= 100°c)
12.1 12.1 一个
我
dm
排水管 电流 - 脉冲
(备注 1)
72 72 一个
v
GSS
栅极-源极 电压
±
30 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
(备注 2)
330 mJ
我
ar
雪崩 电流
(备注 1)
18 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
(备注 1)
25 mJ
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
(备注 3)
4.5 v/ns
p
d
电源 耗散 (t
c
= 25°c)
208 69 w
- 降额 以上 25°c 1.67 0.55 w/°c
t
j
, t
stg
操作 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
t
l
最大值 铅 温度 用于 焊接 目的,
1/8
"
从 案例 用于 5 秒
300 °C
符号 参数 FQP18N50V2 FQPF18N50V2 单位
右
θ
jc
热 电阻, 连接至壳体 0.6 1.8 °C
/
w
右
θ
cs
热 电阻, 案例-至-水槽 0.5 -- °C
/
w
右
θ
ja
热 电阻, 交叉点到环境 62.5 62.5 °C
/
w
至-220
fqp 系列
g
sd
至-220f
fqpf 系列
g
s
d
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