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资料编号:333554
 
资料名称:FRE9160R
 
文件大小: 49.2K
   
说明
 
介绍:
30A, -100V, 0.095 Ohm, Rad Hard, P-Channel Power MOSFETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
fre9160d, fre9160r,
FRE9160H
30a, -100v, 0.095 欧姆, rad hard,
p沟道 电源 mosfets
文件 号码
3268.2
包装
至-258aa
符号
特点
30a, -100v, rds(开启) = 0.095
第二 世代 rad 硬 场效应晶体管 结果 从 新建 设计 概念
Gamma - 满足 预-rad 特定 至 100krad(si)
- defined 结束 点 规格 在 300krad(si) 和 1000krad(si)
- 业绩 许可证 有限 使用 至 3000krad(si)
gamma 圆点 - survives 3e9rad(si)/秒 在 80% bvdss 通常
- survives 2e12 通常 如果 电流 有限 至 idm
照片 电流 - 10.0na 按-rad(si)/秒 通常
Neutron - 预-rad 特定 用于 3e13 neutrons/厘米
2
- 可用 至 3e14 neutrons/厘米
2
描述
这 intersil 公司 部门 有 设计 一个 系列 的 第二 世代
硬化 电源 mosfets 的 两者都有 n 和 p 频道 增强功能 类型 与 rat-
ings 从 100v 至 500v, 1a 至 60a, 和 开启 电阻 作为 低 作为 25m
. 合计 剂量
硬度 是 提供 在 100k rad(si) 和 1000krad(si) 与 neutron 硬度
测距 从 1e13 用于 500v 产品 至 1e14 用于 100v 产品. 剂量 费率 硬度
(gamma 圆点) 存在 用于 费率 至 1e9 无 电流 限制 和 2e12 与 cur-
租金 限制.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强模式 硅栅 电源 field 效果 晶体管 的
这 垂直 dmos (vdmos) 结构. 它 是 特别 设计 和 已处理 至
展品 最小 特性 变更 至 合计 剂量 (gamma) 和 neutron (n
o
)
重型 离子 (请参见) 和/或 剂量 费率 (gamma 圆点) exposure.
这个 零件 将 是 提供的 作为 一个 模具 或 入点 各种 软件包 其他 比 显示 以上.
可靠性 筛选 是 可用 作为 要么 非 tx (商业), tx 等效 的
密耳-s-19500, txv 等效 的 密耳-s-19500, 或 空间 等效 的
密耳-s-19500. 联系人 这 intersil 公司 高可靠性 市场营销 集团 用于
任何 需要 偏差 从 这 数据 工作表.
绝对 最大值 额定值
(tc = +25
o
c) 除非 否则 specified
fre9160d, 右, h 单位
漏源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VDS -100 v
漏极-栅极 电压 (rgs = 20k
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDGR -100 v
连续 排水管 电流
tc = +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
tc = +100
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
30
19
一个
一个
脉冲 排水管 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IDM 90 一个
栅极-源极 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VGS
±
20 v
最大值 电源 耗散
tc = +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . pt
tc = +100
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . pt
降额 以上 +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
150
60
1.20
w
w
w/
o
c
归纳 电流, 夹紧, l = 100
µ
h, (请参见 测试一下 图). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ILM 90 一个
连续 来源 电流 (车身 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 一个
脉冲 来源 电流 (车身 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ISM 90 一个
操作 和 存储 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tjc, tstg -55 至 +150
o
c
铅 温度 (期间 焊接)
距离 > 0.063 入点. (1.6mm) 从 case, 10s 最大值. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tl 300
o
c
六月 1998
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
http://www.intersil.com 或 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
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