4-37
fre160d, fre160r,
FRE160H
41a, 100v, 0.050 欧姆, rad hard,
n通道 电源 mosfets
文件 号码
3258.2
包装
至-258aa
符号
特点
• 41a, 100v, rds(开启) = 0.050
Ω
• 第二 世代 rad 硬 场效应晶体管 结果 从 新建 设计 概念
• Gamma - 满足 预-rad 特定 至 100krad(si)
- defined 结束 点 规格 在 300krad(si) 和 1000krad(si)
- 业绩 许可证 有限 使用 至 3000krad(si)
• gamma 圆点 - survives 3e9rad(si)/秒 在 80% bvdss 通常
- survives 2e12 通常 如果 电流 有限 至 idm
• 照片 电流 - 10na 按-rad(si)/秒 通常
• Neutron - 预-rad 特定 用于 3e13 neutrons/厘米
2
- 可用 至 3e14 neutrons/厘米
2
描述
这 intersil 有 设计 一个 系列 的 第二 世代 硬化 电源
mosfets 的 两者都有 n 和 p 频道 增强功能 类型 与 额定值 从 100v 至
500v, 1a 至 60a, 和 开启 电阻 作为 低 作为 25m
Ω
. 合计 剂量 硬度 是
提供 在 100k rad(si) 和 1000krad(si) 与 neutron 硬度 测距 从
1e13 用于 500v 产品 至 1e14 用于 100v 产品. 剂量 费率 硬度 (gamma
圆点) 存在 用于 费率 至 1e9 无 电流 限制 和 2e12 与 电流 限制.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强模式 硅栅 电源 field 效果 晶体管 的
这 垂直 dmos (vdmos) 结构. 它 是 特别 设计 和 已处理 至
展品 最小 特性 变更 至 合计 剂量 (gamma) 和 neutron (n
o
)
exposures. 设计 和 加工 努力 是 也 定向 至 增强 生存 至
重型 离子 (seu) 和/或 剂量 费率 (gamma 圆点) exposure.
这个 零件 将 是 提供的 作为 一个 模具 或 入点 各种 软件包 其他 比 显示 以上.
可靠性 筛选 是 可用 作为 要么 非 tx (商业), tx 等效 的
密耳-s-19500, txv 等效 的 密耳-s-19500, 或 空间 等效 的
密耳-s-19500. 联系人 这 intersil 高可靠性 市场营销 集团 用于 任何 需要
偏差 从 这 数据 工作表.
绝对 最大值 额定值
(tc = +25
o
c) 除非 否则 specified
fre160d, 右, h 单位
漏源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VDS 100 v
漏极-栅极 电压 (rgs = 20k
Ω
). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDGR 100 v
连续 排水管 电流
tc = +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
tc = +100
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .id
41
26
一个
一个
脉冲 排水管 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IDM 100 一个
栅极-源极 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VGS
±
20 v
最大值 电源 耗散
tc = +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . pt
tc = +100
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . pt
降额 以上 +25
o
c. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
150
60
1.20
w
w
w/
o
c
归纳 电流, 夹紧, l = 100
µ
h, (请参见 测试一下 图). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ILM 100 一个
连续 来源 电流 (车身 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .是 41 一个
脉冲 来源 电流 (车身 二极管) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ISM 100 一个
操作 和 存储 温度. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tjc, tstg -55 至 +150
o
c
铅 温度 (期间 焊接)
距离 > 0.063 入点. (1.6mm) 从 case, 10s 最大值. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . tl 300
o
c
六月 1998
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
http://www.intersil.com 或 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
: 点此下载
