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tm
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
star*power™ 是 一个 商标 的 intersil 公司.
1-888-intersil 或 321-724-7143
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intersil 和 设计 是 一个 商标 的 intersil 公司.
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版权 © intersil 公司 2000
FSGYC260R
辐射 硬化, segr 耐
n通道 电源 场效应晶体管
intersil star*power rad 硬
mosfets 有 被 特定
已开发 用于 高 业绩
应用程序 入点 一个 商业 或
军事 空间 环境.
star*power mosfets 报价 这 系统 设计师 两者都有
极其 低 右
ds(开启)
和 闸门 费用 允许 这
发展 的 低 损失 电源 子系统. star*power
黄金 fets 联合收割机 这个 电气 能力 与 合计 剂量
辐射 硬度 向上 至 100k rads 同时 维护 这
保证 业绩 用于 请参见 (单独 事件 效果)
哪个 这 intersil fs 家庭 有 总是 特色.
这 intersil 家庭 的 star*power fets 包括 一个 系列 的
设备 入点 各种 电压, 电流 和 包装 样式. 这
投资组合 由 的 star*power 和 star*power 黄金
产品. star*power fets 是 优化 用于 合计 剂量 和
右
ds(开启)
同时 展览 请参见 能力 在 已满 额定 电压
向上 至 一个 让 的 37. star*power 黄金 fets 有 被
优化 用于 请参见 和 闸门 费用 组合 请参见
业绩 至 80% 的 这 额定 电压 用于 一个 让 的 82
与 极其 低 闸门 费用 特性.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强模式 硅栅 电源
field 效果 晶体管 的 这 垂直 dmos (vdmos)
结构. 它 是 特定 设计 和 已处理 至 是
辐射 宽容. 这 场效应晶体管 是 井 适合 用于
应用程序 暴露 至 辐射 环境 这样的 作为
开关 法规, 开关 转换器, 电源
分布, 电机 驱动器 和 继电器 驱动程序 作为 井 作为 其他
电源 控制 和 调节 应用程序. 作为 与
常规 mosfets 这些 辐射 硬化
mosfets 报价 轻松 的 电压 控制, 快 开关
速度 和 能力 至 平行 开关 设备.
可靠性 筛选 是 可用 作为 要么 txv 或 空间
等效 的 密耳-s-19500.
以前 可用 作为 类型 ta45231w.
特点
• 56a, 200v, 右
ds(开启)
= 0.033
Ω
• uis 额定
• 合计 剂量
- 满足 预-rad 特定 至 100k rad (si)
• 单独 事件
- 安全 操作 面积 曲线 用于 单独 事件 效果
- 请参见 免疫 用于 让 的 82mev/毫克/厘米
2
与
v
ds
向上 至 80% 的 额定 击穿 和
v
gs
的 5v 关-偏差
• 剂量 费率
- 通常 survives 3e9 rad (si)/s 在 80% bv
DSS
- 通常 survives 2e12 如果 电流 有限 至 我
作为
• 照片 电流
- 17na 按-rad (si)/s 通常
• Neutron
- 维护 预-rad 特定
用于 1e13 neutrons/厘米
2
- 可用 至 1e14 neutrons/厘米
2
符号
包装
SMD2
订购 信息
rad 水平 筛选 水平 零件 号码/品牌
10K 工程 样品 FSGYC260D1
100K TXV FSGYC260R3
100K 空间 FSGYC260R4
tm
d
g
s
数据 工作表 将 2000 文件 号码
4851.1
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