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注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 集成电路 搬运 程序.
http://www.intersil.com 或 407-727-9207
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版权
©
intersil 公司 1999
六月 1998
fss130d, fss130r
11a, 100v, 0.210 欧姆, rad hard,
segr 耐, n通道 电源 mosfets
特点
• 11a, 100v, 右
ds(开启)
= 0.210
Ω
• 合计 剂量
- 满足 预-rad 特定 至 100k rad (si)
• 单独 事件
- 安全 操作 面积 曲线 用于 单独 事件 效果
- 请参见 免疫 用于 让 的 36mev/毫克/厘米
2
与
v
ds
向上 至 80% 的 额定 击穿 和
v
gs
的 10v 关-偏差
• 剂量 费率
- 通常 survives 3e9 rad (si)/s 在 80% bv
DSS
- 通常 survives 2e12 如果 电流 有限 至 我
dm
• 照片 电流
- 1.5na 按-rad(si)/s 通常
• Neutron
- 维护 预-rad 特定
用于 3e13 neutrons/厘米
2
- 可用 至 3e14 neutrons/厘米
2
以前 可用 作为 类型
TA17636
.
描述
这 离散 产品 操作 的 intersil 有 已开发 一个
系列 的 辐射 硬化 mosfets 特定
设计 用于 商业 和 军事 空间 应用程序.
增强型 电源 场效应晶体管 免疫 至 单独 事件 效果
(请参见), 单独 事件 闸门 rupture (segr) 入点 特别, 是
合并 与 100k rads 的 合计 剂量 硬度 至 提供
设备 哪个 是 理想情况下 适合 至 刺耳 空间 环境-
部分. 这 剂量 费率 和 neutron 公差 必要的 用于
军事 应用程序 有 不 被 sacrificed.
这 intersil 投资组合 的 segr 耐 辐射 硬化
mosfets 包括 n通道 和 p沟道 设备 入点 一个
品种 的 电压, 电流 和 导通电阻 额定值.
众多 包装 选项 是 也 可用.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强模式 硅栅 电源
fi 晶体管 的 这 垂直 dmos (vdmos) 结构-
真实. 它 是 特别 设计 和 已处理 至 是 辐射
宽容. 这 场效应晶体管 是 井 适合 用于 应用程序
暴露 至 辐射 环境 这样的 作为 开关 regula-
操作, 开关 转换器, 电机 驱动器, 继电器 驱动程序 和
驱动程序 用于 高功率 双极性 开关 晶体管 要求
高 速度 和 低 闸门 驱动器 电源. 这个 类型 可以 是
操作 直接 从 综合 电路.
可靠性 筛选 是 可用 作为 要么 商业, txv
等效 的 密耳-s-19500, 或 空间 等效 的
密耳-s-19500. 联系人 intersil 用于 任何 需要 偏差
从 这 数据 工作表.
符号
包装
至-257aa
订购 信息
rad 水平 筛选 水平 零件 号码/品牌
10K 商业 FSS130D1
10K TXV FSS130D3
100K 商业 FSS130R1
100K TXV FSS130R3
100K 空间 FSS130R4
d
g
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注意事项: beryllia 警告 按 密耳-s-19500
参考 至 包装 特定.
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文件 号码
4059.2
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