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资料编号:335320
 
资料名称:FSS13A0D3
 
文件大小: 71.31K
   
说明
 
介绍:
2A, 100V, 0.170 Ohm, Rad Hard, SEGR Resistant, N-Channel Power MOSFETs
 
 


: 点此下载
 
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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tm
文件 号码
4487.3
注意事项: 这些 设备 是 敏感 至 静电 放电; 跟着 适当的 esd 搬运 程序.
1-888-intersil 或 321-724-7143
|
intersil 和 设计 是 一个 商标 的 intersil 公司.
|
版权
©
intersil 公司 2000
fss13a0d, fss13a0r
2a, 100v, 0.170 欧姆, rad hard, segr
耐, n通道 电源 mosfets
这 离散 产品 操作 的 intersil 公司 有
已开发 一个 系列 的 辐射 硬化 mosfets
特定 设计 用于 商业 和 军事 空间
应用程序. 增强型 电源 场效应晶体管 免疫 至 单独
事件 效果 (请参见), 单独 事件 闸门 rupture (segr) 入点
特别, 是 合并 与 100k rads 的 合计 剂量
硬度 提供 设备 哪个 理想情况下 适合 刺耳
空间 环境. 这 剂量 费率 和 neutron 公差
必要的 用于 军事 应用程序 有 不 被 sacrificed.
这 intersil 投资组合 的 segr 耐 辐射 硬化
mosfets 包括 n通道 和 p沟道 设备 入点 一个
品种 的 电压, 电流 和 导通电阻 额定值.
众多 包装 选项 是 也 可用.
这个 场效应晶体管 是 一个 增强模式 硅栅 电源
fi 晶体管 的 这 垂直 dmos (vdmos)
结构. 它 是 特别 设计 和 已处理 至 是
辐射 宽容. 这 场效应晶体管 是 井 适合 用于
应用程序 暴露 至 辐射 环境 这样的 作为
开关 法规, 开关 转换器, 电机 驱动器,
继电器 驱动程序 和 驱动程序 用于 高功率 双极性 开关
晶体管 要求 高 速度 和 低 闸门 驱动器 电源.
这个 类型 可以 是 操作 直接 从 综合 电路.
可靠性 筛选 是 可用 作为 要么 商业, txv
等效 的 密耳-s-19500, 或 空间 等效 的
密耳-s-19500. 联系人 intersil 用于 任何 需要 偏差
从 这 数据 工作表.
以前 可用 作为 类型 ta17696.
特点
12a, 100v, 右
ds(开启)
= 0.170
合计 剂量
- 满足 预-rad 特定 至 100k rad (si)
单独 事件
- 安全 操作 面积 曲线 用于 单独 事件 效果
- 请参见 免疫 用于 让 的 36mev/毫克/厘米
2
v
ds
向上 至 80% 的 额定 击穿 和
v
gs
的 10v 关-偏差
剂量 费率
- 通常 survives 3e9 rad (si)/s 在 80% bv
DSS
- 通常 survives 2e12 如果 电流 有限 至 我
dm
照片 电流
- 1.5na 按-rad(si)/s 通常
Neutron
- 维护 预-rad 特定
用于 3e13 neutrons/厘米
2
- 可用 至 3e14 neutrons/厘米
2
符号
包装
至-257aa
订购 信息
rad 水平 筛选 水平 零件号码/品牌
10K 商业 FSS13A0D1
10K TXV FSS13A0D3
100K 商业 FSS13A0R1
100K TXV FSS13A0R3
100K 空间 FSS13A0R4
d
g
s
注意事项: beryllia 警告 按 密耳-s-19500
参考 至 包装 特定.
g
s
d
数据 工作表 六月 2000
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