tc58fvm7(t/b)2aft(65/80)
2002-10-24 1/68
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tc58fvm7t2a/b2aft65 tc58fvm7t2a/b2aft80
v
dd
cl
=
30 pf cl
=
100 pf cl
=
30 pf cl
=
100 pf
2.7~3.6v 65 ns/25 ns 70 ns/30 ns 80 ns/30 ns 85 ns/35 ns
2.3~3.6v 70 ns/30 ns 75 ns/35 ns 85 ns/35 ns 90 ns/40 ns
•
电源 消费
10
µ
一个 (备用)
15 ma (程序/擦除 操作)
55 ma (随机 阅读 操作)
11 ma(地址 增量 阅读 操作)
5 ma (第页 阅读 操作)
•
包装
TSOP 56-p-1420-0.50a (重量: 0.61g)
toshiba mos 数字 综合 电路 硅 闸门 cmos
128-mbit (16m
×
8 比特 / 8m
×
16 比特) cmos 闪光灯 记忆
描述
这 tc58fvm7t2a/b2a 是 一个 134217728-有点, 3.0-v 只读 电气 可擦除 和 可编程 闪光灯
记忆 有组织的 作为 16777216 字词
×
8 比特 或 作为 8388608 字词
×
16 比特. 这 tc58fvm7t2a/b2a 特点
命令 用于 阅读, 程序 和 擦除 运营 至 允许 容易 接口 与 微处理器. 这 命令
是 基于 开启 这 电子元件工业联合会 标准. 这 程序 和 擦除 运营 是 自动 处决 入点 这 芯片. 这
tc58fvm7t2a/b2a 也 特点 一个 同时 阅读/写 操作 所以 那 数据 可以 是 阅读 期间 一个 写 或
擦除 操作.
特点
•
电源 供应 电压
v
dd
=
2.3 v~3.6 v
•
操作 温度
助教
=
−
40
°
C~85
°
c
•
组织机构
16M
×
8 比特/8m
×
16 比特
•
功能
•
同时 阅读/写
第页 阅读
自动 程序, 自动 第页 程序
自动 块 擦除, 自动 芯片 擦除
快 程序 模式 / 加速度 模式
程序 挂起/简历
擦除 挂起/简历
数据 轮询/切换 有点
块 保护, 引导 块 保护
自动 睡眠, 支持 用于 隐藏 rom 面积
普通 闪光灯 记忆 接口 (cfi)
字节/字 模式
•
块 擦除 体系结构
8
×
8 千字节/255
×
64 千字节
•
引导 块 体系结构
tc58fvm7t2a: 顶部 引导 块
tc58fvm7b2a: 底部 引导 块
•
模式 控制
兼容 与 电子元件工业联合会 标准 命令
•
擦除/程序 循环次数
10
5
循环次数 典型值
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