IRFZ48NS
IRFZ48NL
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
高级 流程 技术
表面 安装 (irfz48ns)
低调 通孔 (irfz48nl)
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从
国际 整流器 利用 高级 加工
技术 至 实现 极其 低 导通电阻
按 硅 面积. 这个 效益, 合并 与 这 快
开关 速度 和 加固 设备 设计 那
hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供
这 设计师 与 一个 极其 高效 和 可靠
设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的 应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的
可容纳性 模具 尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这
最高 电源 能力 和 这 最低 可能 导通电阻
入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是
适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的 其 低
内部 连接 电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w
入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irfz48nl) 是 可用 用于 低-
配置文件 应用程序.
描述
v
DSS
= 55v
右
ds(开启)
= 0.014
Ω
我
d
= 64a
2
dPak
至-262
s
d
g
03/12/01
参数 典型值 最大值 单位
右
qJC
连接至壳体
–––
1.15
右
qJA
交叉点到环境 ( pcb 已安装,稳定-州)**
–––
40
热 电阻
°
c/w
绝对 最大值 额定值
www.irf.com 1
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 64
我
d
@ t
c
= 100
°
c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 45 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
210
p
d
@T
一个
= 25
°
c 电源 耗散 3.8 w
p
d
@T
c
= 25
°
c 电源 耗散 130 w
线性 降额 因素 0.83 w/
°
c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
我
ar
雪崩 电流
32 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
13 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作接合点和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°
c
pd - 9.1408b
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