irfz44es/l
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
pd - 9.1714
11/18/97
参数 最大值 单位
我
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
48
我
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v
34 一个
我
dm
脉冲 排水管 电流
192
p
d
@T
c
= 25°c 电源耗散 110 w
线性 降额 因素 0.71 w/°c
v
gs
栅极到源极 电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
220 mj
我
ar
雪崩 电流
29 一个
e?
ar
重复性 雪崩 能源
11 mj
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
5.0 v/ns
t
j
操作接合点和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10 lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
右
θ
jc
连接至壳体 ––– 1.4
右
θ
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
右
θ
ja
交叉点到环境 ––– 62
热 电阻
www.irf.com 1
高级 流程 技术
表面 安装 (irfz44es)
低调 通孔 (irfz44el)
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
第五 世代 hexfets 从 国际 整流器 利用 高级
加工 技术 至 实现 极其 低 导通电阻 按 硅 面积.
这个 效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和 加固 设备
设计 那 hexfet 电源 mosfets 是 井 已知 用于, 提供 这 设计师
与 一个 极其 高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的
应用程序.
这 d
2
pak 是 一个 表面 安装 电源 包装 有能力 的 可容纳性 模具
尺码 向上 至 十六进制-4. 它 提供 这 最高 电源 能力 和 这 最低
可能 导通电阻 入点 任何 现有 表面 安装 包装. 这 d
2
pak 是
适合 用于 高 电流 应用程序 因为 的 其 低 内部 连接
电阻 和 可以 消散 向上 至 2.0w 入点 一个 典型 表面 安装 应用程序.
这 通孔 版本 (irfz44el) 是 可用 用于 低调 应用程序.
描述
v
DSS
= 60v
右
ds(开启)
= 0.023
Ω
我
d
= 48a
2
dPak
至-262
s
d
g
初步
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