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资料编号:339017
 
资料名称:IRFZ44V
 
文件大小: 229.74K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=16.5mw, Id=55A)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFZ44V
HEXFET
®
电源 场效应晶体管
3/25/01
参数 最大值 单位
d
@ t
c
= 25°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 55
d
@ t
c
= 100°c 连续 排水管 电流, v
gs
@ 10v 39 一个
dm
脉冲 排水管 电流
220
p
d
@T
c
= 25°c 电源 耗散 115 w
线性 降额 因素 0.77 w/°c
v
gs
栅极到源极电压 ± 20 v
e?
作为
单独 脉冲 雪崩 能源
115 mJ
ar
雪崩 电流
55 一个
e?
ar
设计验证/dt 峰值 二极管 回收 设计验证/dt
4.5 v/ns
t
j
操作 接合点 和 -55 至 + 175
t
stg
存储 温度 范围
焊接 温度, 用于 10 秒 300 (1.6mm 从 案例 )
°C
安装 扭矩, 6-32 或 m3 srew 10lbf•in (1.1n•m)
绝对 最大值 额定值
参数 典型值 最大值 单位
q
jc
连接至壳体 ––– 1.3
q
cs
案例-至-水槽, 扁平, 润滑 表面 0.50 ––– °c/w
q
ja
交叉点到环境 ––– 62
热 电阻
www.irf.com 1
v
DSS
= 60v
ds(开启)
= 16.5m
w
d
= 55a
s
d
g
至-220ab
高级 hexfet
®
电源 mosfets 从 国际
整流器 利用 高级 加工 技术 至 实现
极其 低 导通电阻 按 硅 面积. 这个
效益, 合并 与 这 快 开关 速度 和
加固 设备 设计 那 hexfet 电源 mosfets
是 井 已知 用于, 提供 这 设计师 与 一个 极其
高效 和 可靠 设备 用于 使用 入点 一个 宽 品种 的
应用程序.
这 至-220 包装 是 universally 首选 用于 全部
商业-工业 应用程序 在 电源 耗散
级别 至 大约 50 瓦特. 这 低 热
电阻 和 低 包装 成本 的 这 至-220 贡献
至 其 宽 验收 贯穿始终 这 行业.
高级 流程 技术
超 低 导通电阻
动态 设计验证/dt 评级
175°c 操作 温度
快 开关
完全 雪崩 额定
优化 用于 smps 应用程序
描述
pd - 93957a
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